[发明专利]抗穿击OLED电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.抗穿击OLED电致发光器件，包括依次连接的基板(100)、第一电极层(200)、绝缘层(300)、辅助电极层(400)、有机层(600)和第二电极层(700)，所述第一电极层(200)，包括像素主分隔区(220)，以及被像素主分隔区(220)分隔而成的至少两个像素单元(210)；其特征在于：

每一个所述像素单元(210)，通过一个像素辅助隔断区(240)分隔为像素发光区(211)和像素引出区(212)；

所述像素主分隔区(220)，与其相邻的一列或者一行像素辅助隔断区(240)内布置绝缘层(300)；

所述绝缘层(300)，顶部设置辅助电极(400)，对应像素引出区(212)顶部设有贯穿通孔(230)，供给导电材料(800)穿过以将像素引出区(212)和像素发光区(211)连接辅助电极(400)，以连接外部电源；并且在两个所述像素单元(200)之间形成向基板(100)凹进的开口区(310)；

所述辅助电极(400)，与有机层(600)之间还设置有平坦化层(500)。

2.根据权利要求1所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

每一个所述像素引出区(212)的长度与宽度比不小于5:1。

3.根据权利要求2所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

每一个所述像素引出区(212)，方块电阻在5Ω/□-10000Ω/□之间，其对应的所述辅助电极层(400)的方阻在0.01Ω/□-1000Ω/□之间。

4.根据权利要求3所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

每一个所述像素引出区(212)为窄条状ITO结构。

5.根据权利要求1所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

所述辅助电极层(400)，连接至少两个像素引出区(212)引出的导电材料(800)。

6.根据权利要求5所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

相对对称的两组所述像素单元(210)和/或相互并列的若干个像素单元(210)连接同一辅助电极层(400)。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的OLED电致发光器件，其特征在于：

所述基板(100)为玻璃材质和具有阻水氧效果的塑料薄膜材质的一种或者两种组合；

和/或所述第一电极层(200)为透明导电薄膜或半透明导电薄膜；

和/或所述辅助电极层(400)为Mo/Al/Mo、纳米银线、Mg、Cu、Ag、镍铬合金及其合金制成的单层结构或多层结构；

和/或所述绝缘层(300)为包括PI的有机物或包括SiN的无机物，以及包括PI的有机物和包括SiN的无机物组合。

8.OLED电致发光器件的制备方法，其特征在于：用于制备权利要求1-8所述的OLED电致发光器件，包括如下步骤：

S1：在基板上形成第一电极层；

S2：图案化第一电极层，在第一电极层内形成像素发光区、像素隔断区和像素引出区，其中，像素隔断区分为像素隔断内区和像素隔断外区；

S3：在步骤S2制得的第一电极层上形成图案化的绝缘层，包括置于像素主分隔区(220)与其相邻的一列或者一行像素辅助隔断区(240)之间的阻挡区，以及在两个所述像素单元(200)之间形成向基板(100)凹进的开口区(310)和贯穿通孔(230)；

S4：在上一步得到的贯穿通孔(230)内形成导电材料(800)，导电材料(800)贯穿绝缘层并与绝缘层齐平；

S5：在绝缘层与贯穿通孔(230)上形成图案化的辅助电极层(400)。

9.根据权利要求8所述的OLED电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括步骤S6，

S6：在步骤S5制得的辅助电极层(400)的上方依次形成图案化的平坦化层(500)、有机层(600)和第二电极层(700)。

10.根据权利要求8或9所述的OLED电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述辅助电极层(400)，材料由金属线、金属薄膜、金属氧化物薄膜中一种或者几种的组合，并且通过溅镀工艺、涂布工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、打印工艺、蒸镀工艺、点胶工艺中一种或者几种制备而成；

和/或所述绝缘层材料，为一种或者多种有机/无机材料的组合，并且通过涂布工艺、打印工艺、化学气相沉积、光刻工艺和刻蚀工艺中的一种或者几种制备而成；

和/或所述导电材料(800)为导电薄膜、导电粉末、导电胶体和导电墨水中的一种或者几种的组合，通过涂布工艺、气相沉积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、打印工艺、点胶工艺和丝网印刷中的一种或者几种制备而成。