[发明专利]一种发光器件转印方法及发光器件转印系统

说明书

本申请实施例公开了一种发光器件转印方法及发光器件转印系统。通过在发光器件上增加缓冲层，再利用转印探针嵌入缓冲层拾取发光器件进行转印。由于是将转印探针嵌入发光器件上的缓冲层对发光器件进行转移，因而不存在各个发光器件受力不均的问题。由此，能够将发光器件精准置于目标区域，进而提升发光二极管转移的良率。另外，本申请实施例提供的发光器件转印方法中的转印探针可以选用微纳探针。微纳探针的针体较小，能够对微型发光二极管或迷你发光二极管进行转印。采用微纳探针进行转印，能够避免采用真空吸附的转移探头精度小的情况下吸附力过小难以吸附发光器件的情况，使发光器件在转移过程中保持稳定。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件转印方法及发光器件转印系统。

背景技术

作为新型显示技术的代表，微型发光二极管(microLED)显示因其具有高亮度、高对比度、广色域、响应速度快和高信赖性等优势，受到了业内的广泛关注。然而，microLED技术面临了诸多挑战，其中巨量转移是最为核心的技术之一。目前，巨量转移方法包括静电力、范德华力、激光、流体自组装等方式，主流技术为Stamp转移和激光转移。对于Stamp转移技术，转印头与LED之间的吸引和释放均由范德华力控制。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，当同时转移大量的microLED时，由于转印头不可能对每个LED的受力一致，因此会造成部分microLED不能精准置于目标区域而造成转移良率下降。而对于激光转移技术，由于受到光斑大小影响，对于尺寸较小的microLED难以精准转移。

发明内容

本申请实施例提供一种发光器件转印方法及发光器件转印系统，可以实现微型发光二极管的精准转移。

本申请实施例提供一种发光器件转印方法，包括：

提供发光器件和转印装置，所述发光器件上设置有缓冲层，所述转印装置上具有转印探针；

将所述转印探针嵌入所述缓冲层，所述转印探针与所述缓冲层的摩擦力大于所述发光器件的重力；

采用所述转印探针拾取所述发光器件；

将所述发光器件转移至转印基板。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述发光器件转移至转印基板之前，还包括如下步骤：

在所述转印基板上设置光阻挡膜层；

采用光刻工艺对所述光阻挡膜层进行图案化处理，以在所述光阻挡膜层上形成多个开口，得到光阻结构层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述发光器件转移至转印基板，包括如下步骤：

在所述开口内设置导电胶；

将所述发光器件转移至所述开口内，所述发光器件通过所述导电胶与所述转印基板连接；

释放所述发光器件，以使所述发光器件转移至转印基板。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述转印探针与所述缓冲层的摩擦力小于所述发光器件与所述导电胶的界面结合力。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述发光器件转移至转印基板之后，还包括如下步骤：

去除所述缓冲层；

对设置有所述发光器件的转印基板进行封装。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述去除所述缓冲层，包括如下步骤：

对所述缓冲层进行光照；

利用显影液洗去所述缓冲层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述转印探针嵌入所述缓冲层，包括：将至少一个转印探针嵌入所述缓冲层。