[发明专利]一种发光器件转印方法及发光器件转印系统有效
申请号: | 202111189274.6 | 申请日: | 2021-10-12 |
公开(公告)号: | CN113972233B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 段淼;陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 方法 系统 | ||
1.一种发光器件转印方法,其特征在于,包括:
提供发光器件和转印装置,所述发光器件上设置有缓冲层,所述转印装置上具有转印探针;
在所述转印探针上设置凸起;
将所述转印探针嵌入所述缓冲层,以所述凸起定位所述转印探针嵌入缓冲层的深度,所述转印探针与所述缓冲层的摩擦力大于所述发光器件的重力;
采用所述转印探针拾取所述发光器件;
将所述发光器件转移至转印基板。
2.根据权利要求1所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述将所述发光器件转移至转印基板之前,还包括如下步骤:
在所述转印基板上设置光阻挡膜层;
采用光刻工艺对所述光阻挡膜层进行图案化处理,以在所述光阻挡膜层上形成多个开口,得到光阻结构层。
3.根据权利要求2所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述将所述发光器件转移至转印基板,包括如下步骤:
在所述开口内设置导电胶;
将所述发光器件转移至所述开口内,所述发光器件通过所述导电胶与所述转印基板连接;
释放所述发光器件,以使所述发光器件转移至转印基板。
4.根据权利要求3所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述转印探针与所述缓冲层的摩擦力小于所述发光器件与所述导电胶的界面结合力。
5.根据权利要求1所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述将所述发光器件转移至转印基板之后,还包括如下步骤:
去除所述缓冲层;
对设置有所述发光器件的转印基板进行封装。
6.根据权利要求5所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述去除所述缓冲层,包括如下步骤:
对所述缓冲层进行光照;
利用显影液洗去所述缓冲层。
7.根据权利要求1所述的发光器件转印方法,其特征在于,所述将所述转印探针嵌入所述缓冲层,包括:将至少一个转印探针嵌入所述缓冲层。
8.一种发光器件转印系统,所述发光器件转印系统用于将发光器件转印至转印基板,所述转印基板用于接收所述发光器件,其特征在于,所述发光器件上设置有缓冲层,所述发光器件转印系统包括:
转印装置,所述转印装置上具有转印探针,所述转印探针上设置凸起,所述转印探针用于嵌入所述缓冲层,所述凸起用于定位所述转印探针嵌入缓冲层的深度,所述转印探针与所述缓冲层之间的摩擦力大于所述发光器件的重力。
9.根据权利要求8所述的发光器件转印系统,其特征在于,所述转印基板上设置有光阻结构层,所述光阻结构层上设置有多个开口,所述开口内设置有导电胶,所述转印探针与所述缓冲层之间的摩擦力小于所述发光器件与所述导电胶之间的界面结合力。
10.根据权利要求8所述的发光器件转印系统,其特征在于,所述缓冲层的厚度为20微米至100微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的