[发明专利]一种金刚石薄膜加工方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111183392.6 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113913781A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 曾祥才;姚毅;马骏;罗鑫 申请(专利权)人: 久钻科技(成都)有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/44;C23C16/458
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 代理人: 冷洁;刘畅
地址: 641400 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 金刚石 薄膜 加工 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种金刚石薄膜加工方法,其特征在于,包括:

在工件(1)横向两侧布置相互平行的热丝(2);

所述热丝(2)进行加热以在工件(1)的待加工区域沉积加工出金刚石薄膜,在沉积加工过程中,所述工件(1)沿竖向进行自转,并且所述热丝(2)沿高度方向进行往复运动或者所述工件(1)沿高度方向进行往复运动。

2.根据权利要求1所述的金刚石薄膜加工方法,其特征在于,所述工件(1)在进行沉积加工之前先进行预处理,所述预处理包括:

所述工件(1)置入碱性溶液中浸泡以对工件(1)的待加工区域进行粗化处理。

3.根据权利要求2所述的金刚石薄膜加工方法,其特征在于,所述碱性溶液的成分按照重量份数包括70-95份的H2O、质量百分数为3-25份的K3[Fe(CN)6]、质量百分数为5-25份的NaOH或KOH。

4.根据权利要求1所述的金刚石薄膜加工方法,其特征在于,所述沉积加工过程包括碳化、形核、生长、降温的阶段,

所述碳化的阶段中,热丝温度为1600-1800℃,输入的CH4/H2气体浓度为3.0-5%,沉积压力为2000-2500Pa,时间持续20-120分钟;

所述形核的阶段中,热丝温度为1800-2200℃,输入的CH4/H2气体浓度为2.0-6%,沉积压力为1500-2500Pa,时间持续30-120分钟。

5.根据权利要求4所述的金刚石薄膜加工方法,其特征在于,所述生长的阶段中,采用微米晶沉积工艺和/或纳米晶沉积工艺,

所述微米晶沉积工艺为热丝温度为1800-2200℃,输入的CH4/H2气体浓度为0.5-1.5%,沉积压力为2000-4000Pa,时间持续15-120分钟;

所述纳米晶沉积工艺为热丝温度为1800-2200℃,输入的CH4/H2气体浓度为2.0-6%,沉积压力为800-1800Pa,时间持续15-120分钟。

6.根据权利要求4所述的金刚石薄膜加工方法,其特征在于,所述降温的阶段中,按照预设幅度逐渐降低热丝(2)的加工功率直至完全关闭。

7.根据权利要求1至6任一项所述的金刚石薄膜加工工艺,其特征在于,所述热丝(2)沿横向平行间隔布置有若干条,其中至少有两条相邻热丝(2)之间布置了间隔分布的若干个工件(1)。

8.根据权利要求1至6任一项所述的金刚石薄膜加工工艺,其特征在于,所述热丝(2)沿着高度方向间隔设置有若干层,每层热丝(2)在高度方向上的间距相等或不相等。

9.根据权利要求1至6任一项所述的金刚石薄膜加工工艺,其特征在于,若干个所述工件(1)同时进行金刚石薄膜加工,在沉积加工过程中,每个所述工件(1)沿竖向进行独立自转,并且每个所述工件(1)沿高度方向独立的进行往复运动。

10.一种金刚石薄膜加工装置,其特征在于,包括工作台(3)和热丝组件,所述工作台(3)用于装夹工件(1),所述工作台(3)上设置有转动机构以驱动每个工件(1)沿竖向独立自转,并且所述工作台(3)上设置有升降机构以带动每个工件(1)独立上下往复运动,所述热丝组件包括热丝(2),在工件(1)横向的两侧分别布置所述热丝(2),并且热丝(2)相互平行。

11.根据权利要求10所述的金刚石薄膜加工装置,其特征在于,所述热丝(2)沿横向平行间隔布置有若干条,其中至少有两条相邻热丝(2)之间布置了间隔分布的若干个工作台(3)。

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