[发明专利]一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法

权利要求书

1.一种高晶面择优取向铜箔，其特征在于，所述铜箔具有高度的铜(111)或铜(220)晶面择优取向。

2.一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1)：配制250g/L硫酸铜溶液，用浓硫酸调节溶液pH值为0.9-1.1；

步骤2)：取上述硫酸铜溶液作为电解液，以铜片作为阳极金属材料，以钛片作为阴极金属材料，然后将阴极和阳极同时浸入到硫酸铜电解液中，利用电化学工作站设置沉积参数，进行电沉积；

步骤3)：从电解液中取出阴极，用稀硫酸和去离子水交替清洗，冷风吹干，即可得到具有高度晶面择优取向的铜箔。

3.根据权利要求2所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤1)中硫酸铜采用纯度≥98％的五水合硫酸铜试剂进行配制。

4.根据权利要求2所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方式，其特征在于，所述步骤2)中阳极金属材料按以下方式制备而来：

将纯度为99.99％、厚度为0.3mm的铜片依次用稀硫酸、去离子水、无水乙醇清洗，冷风吹干得到阳极金属材料。

5.根据权利要求2所述高晶面择优取铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤2)中阴极金属材料按以下方式制备而来：

将纯度为99％、厚度为0.1mm的钛片浸入无水乙醇中超声清洗5分钟，冷风吹干得到阴极金属材料。

6.根据权利要求2所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤2)中阴极与阳极的间距为1.5～2.0cm。

7.根据权利要求2-6任一项所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤2)中电化学工作站沉积参数设置为：室温下，沉积电流密度0.3-0.8A/cm²，沉积时间50ms，沉积静置时间0-450ms，氧化电流密度0.05A/cm²，氧化时间20ms，氧化静置时间20ms。

8.根据权利要求7所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤3)中得到的具有高晶面择优取向的铜箔为铜(111)和铜(220)晶面取向择优的铜箔。

9.根据权利要求8所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，当沉积静置时间为20ms时，所述铜箔(111)晶面取向最强；当静置时间为300ms时，所述铜箔(220)晶面取向最强。