[发明专利]一种MOSFET状态监测装置

说明书

本发明属于MOSFET监测技术领域，尤其为一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地。本发明利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。

技术领域

本发明涉及MOSFET监测技术领域，具体为一种MOSFET状态监测装置。

背景技术

目前，MOS管作为一种越来越被广泛应用的开关管，具有高速度、高性能、低损耗的优点，在实际工作中，根据工作环境与所处电路的不同，MOS管会处于过温或过流的情况，会在一定程度上影响MOS管的工作效率和使用寿命。

现有的用于MOS管状态监测的方法不但需要复杂的检测电路，并且检测时间较长，效率低，造成用户时间成本增加，且可靠性较低，不能直观、快速的判断MOSFET的状态。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种MOSFET状态监测装置，解决了现有的用于MOS管状态监测的方法不但需要复杂的检测电路，并且检测时间较长，效率低，造成用户时间成本增加，且可靠性较低，不能直观、快速的判断MOSFET的状态的问题。

(二)技术方案。

本发明为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地，通过电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，所述采样电阻的两端与MCU检测芯片的两检测端连接，所述MCU检测芯片的两检测端分别与电容的两端连接，所述MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测。

进一步地，所述限流电阻为四分之一电阻。

进一步地，所述MOSFET状态监测装置还包括无线通信模块，所述无线通信模块与MCU检测芯片电性连接，所述无线通信模块用于将电流检测数据传输给远程监控平台。

进一步地，所述MCU检测芯片的两检测端上串放有反向设置的第一整流二级管和第二整流二极管。

(三)有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种MOSFET状态监测装置，具备以下有益效果：

本发明，利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。

附图说明

图1为本发明的MOSFET状态监测装置原理图。

具体实施方式