[发明专利]一种MOSFET状态监测装置在审
| 申请号： | 202111174330.9 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113933674A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/25;H02M1/08;H02J13/00 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 231283 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 状态 监测 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET状态监测装置，其特征在于：包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地，通过电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，所述采样电阻的两端与MCU检测芯片的两检测端连接，所述MCU检测芯片的两检测端分别与电容的两端连接，所述MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测。
2.根据权利要求1所述的一种MOSFET状态监测装置，其特征在于：所述限流电阻为四分之一电阻。
3.根据权利要求1所述的一种MOSFET状态监测装置，其特征在于：所述MOSFET状态监测装置还包括无线通信模块，所述无线通信模块与MCU检测芯片电性连接，所述无线通信模块用于将电流检测数据传输给远程监控平台。
4.根据权利要求1所述的一种MOSFET状态监测装置，其特征在于：所述MCU检测芯片的两检测端上串放有反向设置的第一整流二级管和第二整流二极管。
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