[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111170310.4 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114388543A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 郑泰燮;李景镐;藤田雅人;薛斗植;李卿德 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 程丹辰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
提供了一种图像传感器。该图像传感器包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及布置在第一像素区和第二像素区上的微透镜。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括至少一个第一开口区,该至少一个第一开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
技术领域
发明构思涉及图像传感器,更具体地,涉及包括隔离层的图像传感器。
背景技术
图像传感器捕获图像并将捕获的图像转换成电信号。图像传感器不仅可用于一般消费电子装置,诸如数码相机、移动电话相机或便携式摄像机,而且可以用于安装在运载工具、安保系统或机器人上的相机。
自动聚焦(AF)方法可以用于自动检测图像传感器的焦点。相位差自动聚焦(PAF)技术可以用于快速检测焦点。在PAF中,透镜透射的光被分割并从不同的焦点检测像素被检测,并且焦距通过自动驱动聚焦透镜来调节,使得对应于检测结果的检测信号在相同相位具有相同强度。
发明内容
发明构思的至少一个实施方式提供了具有包括开口区的隔离层的图像传感器。
根据发明构思的一示例性实施方式,提供了一种图像传感器,其包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及布置在第一像素区和第二像素区上的微透镜。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括至少一个第一开口区,该至少一个第一开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
根据发明构思的一示例性实施方式,提供了一种图像传感器,其包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体衬底、位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、以及位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第一隔离层和第二隔离层从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面,第二隔离层包括第一开口区,该第一开口区暴露第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
根据发明构思的一示例性实施方式,提供了一种图像传感器,其包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及位于第一像素区中的浮置扩散区。浮置扩散区用于累积光电转换器件在第一像素区和第二像素区的每个中产生的光电荷。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括开口区,该开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
附图说明
发明构思的示例性实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解,附图中:
图1是根据发明构思的一示例性实施方式的图像传感器的结构的框图;
图2是图1的像素阵列中包括的像素组的电路图;
图3A和图3B是根据发明构思的示例性实施方式的图像传感器中包括的像素组的视图;
图4是沿着图3A的线I-I'截取的截面图;
图5是沿着图3A的线II-II'截取的截面图;
图6是根据发明构思的一示例性实施方式的图像传感器中包括的像素组的视图;
图7是沿着图6的线III-III'截取的截面图;
图8是根据发明构思的一示例性实施方式的图像传感器中包括的像素组的视图;
图9是根据发明构思的一示例性实施方式的图像传感器中包括的像素组的视图;
图10是根据发明构思的一示例性实施方式的图像传感器中包括的像素组的视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的