[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区，其中所述第一像素区和所述第二像素区中的每个包括光电转换器件；

围绕所述第一像素区和所述第二像素区的第一隔离层；

位于所述第一像素区和所述第二像素区之间的第二隔离层；以及

布置在所述第一像素区和所述第二像素区上的微透镜，

其中所述第二隔离层包括至少一个第一开口区，所述至少一个第一开口区暴露位于所述第一像素区和所述第二像素区之间的区域的一部分。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括围绕所述第一隔离层和所述第二隔离层的钝化层。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述钝化层的一部分位于所述至少一个第一开口区中。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述钝化层包括第二开口区，所述第二开口区暴露所述第一像素区和所述第二像素区之间的区域的一部分。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述钝化层包括掺有P型杂质的硅。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中浮置扩散区、接地接触、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管中的至少一个位于所述第一开口区中，光电荷在所述浮置扩散区中累积，接地电压施加到所述接地接触，所述复位晶体管用于复位所述浮置扩散区中累积的所述光电荷，所述放大晶体管用于放大根据所述浮置扩散区中累积的所述光电荷的信号，所述选择晶体管连接到所述放大晶体管以输出像素信号。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一开口区布置在由所述第一隔离层围绕的区域的中央。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二隔离层包括多个第一开口区，所述多个第一开口区暴露所述第一像素区和所述第二像素区之间的区域的一部分。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离层具有在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的格子形状，以及

所述第二隔离层在从所述第一方向和所述第二方向倾斜一定角度的方向上延伸。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括形成在所述半导体衬底内的第三像素区和第四像素区，其中所述第三像素区和所述第四像素区中的每个包括光电转换器件，

其中所述微透镜布置在所述第三像素区和所述第四像素区上，

所述第一隔离层围绕所述第三像素区和所述第四像素区，

所述第二隔离层位于所述第三像素区和所述第四像素区之间，以及

所述第一开口区暴露所述第一像素区至所述第四像素区之间的区域的一部分。

11.一种图像传感器，包括：

半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

位于所述半导体衬底内的第一像素区和第二像素区，其中所述第一像素区和所述第二像素区中的每个包括光电转换器件；

围绕所述第一像素区和所述第二像素区的第一隔离层；以及

位于所述第一像素区和所述第二像素区之间的第二隔离层，

其中所述第一隔离层和所述第二隔离层从所述半导体衬底的所述第一表面延伸到所述半导体衬底的所述第二表面，以及

所述第二隔离层包括第一开口区，所述第一开口区暴露位于所述第一像素区和所述第二像素区之间的区域的一部分。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，还包括围绕所述第一隔离层和所述第二隔离层的钝化层。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中所述钝化层的一部分位于所述第一开口区中。