[发明专利]T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备

说明书

本申请提供了一种T处理剂，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3‑19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％‑70％。该T处理剂能够用于金属树脂复合体的制备中，提升金属与树脂之间结合的紧密性和可靠性。本申请还提供了金属树脂复合体及其制备方法、壳体和电子设备。

技术领域

本申请属于电子产品技术领域，具体涉及T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备。

背景技术

随着电子设备的不断发展，消费者对电子设备的性能和外观的要求也越来越高。金属外壳以其优异的性能和多样化的外现受到消费者的青睐。为了防止金属外壳屏蔽天线信号，需要在金属外壳上设置天线槽并在其中填充树脂等绝缘材料，目前金属外壳与树脂之间的结合性能还有待提高。

发明内容

鉴于此，本申请提供了一种T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备，用以提升金属与树脂之间的结合性能。

第一方面，本申请提供了一种T处理剂，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3-19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％-70％。

第二方面，本申请提供了一种金属树脂复合体的制备方法，包括：

将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，所述T处理剂包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3-19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％-70％；

经所述浸泡后，将所述金属基材进行水洗、烘干，得到金属基片；

将所述金属基片置于模具中，在所述金属基片的表面成型树脂层，得到金属树脂复合体。

第三方面，本申请提供了一种金属树脂复合体，通过第二方面所述的制备方法制得，所述金属树脂复合体包括所述金属基片和所述树脂层，所述金属基片的表面具有孔洞，部分所述树脂层设置在所述孔洞中。

第四方面，本申请提供了一种壳体，包括第三方面所述的金属树脂复合体。

第五方面，本申请提供了一种电子设备，包括第四方面所述的壳体以及显示装置，所述壳体与所述显示装置相连。

本申请提供了一种T处理剂，其能够用于金属树脂复合体的制备中，其中弱酸能够对金属表面进行刻蚀产生孔洞，有利于树脂与金属之间的物理嵌合作用，同时耦合剂中的含氮化合物能够附着在金属表面，耦合剂中的其他成分能够促进含氮化合物的附着，提高孔洞孔径的均一性，含氮化合物与树脂之间反应，促进树脂与金属之间的连接，提升金属与树脂之间结合的紧密性以及可靠性；本申请提供的金属树脂复合体具有优异的气密性以及防水性能，并且在不同环境、长时间使用后仍然可以保持优异的防水性能，同时该金属树脂复合体的制备方法简单，易于操作，适用于工业化生产；具有该金属树脂复合体的壳体以及电子设备具有高的气密性和防水性能，提高产品竞争力，更能够满足用户使用需求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。

图1为本申请一实施方式提供的金属树脂复合体的制备方法流程图。

图2为本申请一实施方式提供的金属基片的结构示意图。

图3为本申请另一实施方式提供的金属树脂复合体的制备方法流程图。

图4为本申请一实施方式提供的金属树脂复合体的截面示意图。