[发明专利]T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备

权利要求书

1.一种T处理剂，其特征在于，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3-19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％-70％。

2.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述耦合剂中包括2500g/L-3500g/L氨基磺酸、650g/L-750g/L醋酸钠、20g/L-30g/L分散剂、8g/L-12g/L金属表面活化剂、0.2ml/L-0.5ml/L聚乙二醇。

3.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述含氮化合物包括甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、乙二胺、二乙胺、乙醇胺、苯胺、脂氨酸和肼中的至少一种。

4.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述弱酸包括磷酸和草酸，所述磷酸和所述草酸的质量比为(1.5-6)：1。

5.一种金属树脂复合体的制备方法，其特征在于，包括：

将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，所述T处理剂包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3-19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％-70％；

经所述浸泡后，将所述金属基材进行水洗、烘干，得到金属基片；

将所述金属基片置于模具中，在所述金属基片的表面成型树脂层，得到金属树脂复合体。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，包括：

将所述预处理后的所述金属基材依次置于含所述T处理剂的多个处理槽中浸泡，多个所述处理槽中的所述T处理剂中所述耦合剂和所述弱酸的质量比具有差异。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，按所述浸泡的顺序，多个所述处理槽中所述T处理剂的所述耦合剂和所述弱酸的质量比从(3-6)：1逐渐升高至(9-19)：1。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述处理槽的个数为6个-8个，所述金属基材在每个所述处理槽中的浸泡时间为1min-3min。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属基片的表面具有孔洞，所述孔洞的孔径为20nm-40nm，深度为100nm-150nm。

10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述预处理包括将所述金属基材在50℃-110℃、20g/L-100g/L碱液中处理30s-60s，然后再在100g/L-200g/L酸溶液中处理1min-3min；所述烘干包括在60℃-80℃进行处理。

11.一种金属树脂复合体，其特征在于，通过权利要求5-10任一项所述的制备方法制得，所述金属树脂复合体包括所述金属基片和所述树脂层，所述金属基片的表面具有孔洞，部分所述树脂层设置在所述孔洞中。

12.如权利要求11所述的金属树脂复合体，其特征在于，所述金属基材的材质包括铝合金、镁合金、钛合金中的至少一种或不锈钢；

所述树脂层的材质包括聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚邻苯二甲酰胺、聚亚苯基砜、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚碳酸酯、聚邻苯二酰胺和聚酰胺中的至少一种。

13.一种壳体，其特征在于，包括权利要求11-12任一项所述的金属树脂复合体。

14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求13所述的壳体以及显示装置，所述壳体与所述显示装置相连。