[发明专利]射频功率放大器和射频功率放大系统

说明书

本发明公开了一种射频功率放大器和射频功率放大系统，该射频功率放大器射频功率放大器包括第一放大器、第一开关和第一电容；第一放大器的输入节点被配置为接收射频输入信号，第一放大器的输出节点被配置为输出第一射频信号，第一放大器的供电节点被配置为与第一开关的第一端相连，第一开关的第二端与第一供电电源端相连；第一电容的第一端耦合至第一开关的第一端，第一电容的第二端与接地端相连。本技术方案能够减少整个射频功率放大系统的损耗，从而提高射频功率放大系统的整体性能。

技术领域

本发明涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器和射频功率放大系统。

背景技术

射频功率放大系统是射频前端得重要组成部分，通过射频功率放大系统可以使电子终端获取到较高的射频输出功率。

目前，在射频功率放大系统的射频输出功率较高时，一般通过实时调节该射频功率放大系统的供电电压，以适应射频功率放大系统的射频输出功率变化，来降低射频功率放大系统的功率消耗，从而使向该射频功率放大系统供电的供电电源的工作效率更佳。业界中最常用的两种电压管理系统分别是平均功率追踪(Average Power Tracking,APT)技术和包络跟踪(Envelope Tracking,ET)技术，这两种技术均可追踪射频功率放大系统的功率变化，实时调节供电电源的供电电压，进而提高工作效率。

然而，目前射频功率放大系统一般包括多个不同的功率放大器，该多个不同的功率放大器均采用同一个供电电源进行供电，如此，便会导致射频功率放大系统中未处于工作状态的功率放大器增加了处于工作状态的功率放大器负载压力，损害了射频功率放大系统的整体性能，尤其是对于EF模式下的功率放大器的影响更为明显，影响了EF模式下的功率放大器的实际应用。

发明内容

本发明实施例提供一种射频功率放大器和射频功率放大系统，以解决射频功率放大系统中的多个不同的功率放大器均采用同一个供电电源时电源负载过大的问题。

一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括第一放大器、第一开关和第一电容；

所述第一放大器的输入节点被配置为接收射频输入信号，所述第一放大器的输出节点被配置为输出第一射频信号，所述第一放大器的供电节点被配置为与所述第一开关的第一端相连，所述第一开关的第二端与第一供电电源端相连；所述第一电容的第一端耦合至所述第一开关的第一端，所述第一电容的第二端与接地端相连。

进一步地，还包括第二放大器、第二开关和第二电容，所述第二放大器的输入节点被配置为接收所述第一放大器输出的所述第一射频信号，所述第二放大器的输出节点被配置为输出射频放大信号，所述第二放大器的供电节点被配置为与第二供电电源端相连，所述第二开关的一端耦合至所述第二供电电源端，所述第二开关的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与接地端相连。

进一步地，所述第一电容和/或所述第二电容为可调电容。

进一步地，若所述射频功率放大器的供电模式为包络跟踪模式，所述第二电容的电容值小于100pF。

进一步地，所述第一放大器包括第一晶体管；所述第一晶体管包括基极、集电极和发射极，所述第一晶体管的基极接收所述射频输入信号，所述第一晶体管的集电极输出所述第一射频信号，所述第一晶体管的集电极还通过第一开关与所述第一供电电源端相连，所述第一晶体管的发射极接地；所述第二放大器包括第二晶体管；所述第二晶体管包括基极、集电极和发射极，所述第二晶体管的基极接收所述第一射频信号，所述第二晶体管的集电极输出所述射频放大信号，第二晶体管的集电极还与所述第二供电电源端相连，所述第二晶体管的发射极接地。

一种射频功率放大器，包括基板、设置在所述基板上的第一电容、设置在所述基板上的第一芯片和设置在所述基板上的第二芯片；所述第一芯片包括第一放大器；所述第二芯片包括第一开关；