[发明专利]一种功率放大电路、功率放大器及发射机

权利要求书

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括：功率放大单元和补偿单元；

所述功率放大单元包括：第一MOS场效应管；所述第一MOS场效应管的栅极与所述功率放大电路的输入信号端连接，所述第一MOS场效应管的漏极与所述功率放大电路的输出信号端连接，所述第一MOS场效应管的源极接地；

所述补偿单元包括第三MOS场效应管；所述第三MOS场效应管的栅极与第一偏置电压端连接，所述第三MOS场效应管的源极与所述功率放大电路的输出信号端连接，所述第三MOS场效应管的漏极与第二偏置电压端连接；

所述第一MOS场效应管为N型MOS场效应管，所述第三MOS场效应管为P型MOS场效应管；或者，所述第一MOS场效应管为P型MOS场效应管，所述第三MOS场效应管为N型MOS场效应管。

2.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大单元还包括：第二MOS场效应管和第一偏置子电路；

所述第二MOS场效应管的栅极通过所述第一偏子置电路与所述功率放大电路的输入信号端连接，所述第二MOS场效应管的漏极与所述功率放大电路的输出信号端连接，所述第二MOS场效应管的源极接地；

所述第一偏置子电路用于控制所述第二MOS场效应管的栅极偏置电压；

所述第一MOS场效应管的直流工作点偏置在C类，所述第二MOS场效应管的直流工作点偏置在AB类；或者，所述第一MOS场效应管的直流工作点偏置在AB类，所述第二MOS场效应管的直流工作点偏置在C类。

3.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一偏置子电路包括第一电容和第一电阻器；

所述第一电容的第一端与所述功率放大电路的输入信号端连接，所述第一电容的第二端与所述第二MOS场效应管的栅极连接；

所述第一电阻器的第一端与所述第二MOS场效应管的栅极连接，所述第一电阻器的第二端与第三偏置电压端连接。

4.如权利要求2或3所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大单元还包括连接于所述功率放大电路的输入信号端与所述第一MOS场效应管的栅极之间的第二偏置子电路；

所述第二偏置子电路用于控制所述第一MOS场效应管的栅极偏置电压。

5.如权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，所述第二偏置子电路包括第二电容和第二电阻器；

所述第二电容的第一端与所述功率放大电路的输入信号端连接，所述第二电容的第二端与所述第一MOS场效应管的栅极连接；

所述第二电阻器的第一端与所述第一MOS场效应管的栅极连接，所述第二电阻器的第二端与第四偏置电压端连接。

6.一种功率放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、输出匹配电路和如权利要求1-5任一项所述的功率放大电路；

所述输入匹配电路的输出信号端与所述功率放大电路的输入信号端连接，所述输出匹配电路的输入信号端与所述功率放大电路的输出信号端连接。

7.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，当所述功率放大器包括第一功率放大电路和第二功率放大电路时：

所述功率放大器还包括第三电容，所述第三电容的第一端与所述第一功率放大电路中的所述第三MOS场效应管的漏极连接，所述第三电容的第二端与所述第二功率放大电路中的所述第三MOS场效应管的漏极连接；

所述输入匹配电路的输出信号端分别与所述第一功率放大电路的输入信号端和所述第二功率放大电路的输入信号端连接，所述输出匹配电路的输入信号端分别与所述第一功率放大电路的输出信号端和所述第二功率放大电路的输出信号端连接。

8.如权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电压端接地。