[发明专利]陶瓷封装芯片去层制样方法

说明书

本申请提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法，该方法包括：通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开，所述目标芯片通过陶瓷封装；利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封，得到包封环氧胶的样品；将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，得到烘烤硬化后的样品；切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，得到切割后的样品，所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶；对所述研磨后的样品进行抛光，得到去层后的芯片等步骤。本申请能够对陶瓷封装芯片进行去层处理，以露出陶瓷封装芯片内的电路结构，并避免破坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。

技术领域

本申请涉及芯片反向设计领域，具体而言，涉及一种陶瓷封装芯片去层制样方法。

背景技术

在一些场景中，需要对封装芯片进行去层处理，以对芯片内层的电路结构进行分析。

在现有的芯片中，陶瓷封装芯片与塑封芯片不同，陶瓷封装芯芯片采用陶瓷封装芯片的电路结构，而塑封芯片采用采用的是塑胶封装芯片的内部结构，因此对于塑胶封装芯片的去层方法无法应用于陶瓷封装芯片去层。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法，用以对陶瓷封装芯片进行去层处理，以露出陶瓷封装芯片内的电路结构，并避免坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。

为此，本申请第一方面公开一种陶瓷封装芯片去层制样方法，所述方法包括：

通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开，所述目标芯片通过陶瓷封装；

利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封，得到包封环氧胶的样品；

将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，得到烘烤硬化后的样品；

切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，得到切割后的样品，所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶；

将所述切割后的样品的表面的包封环氧胶进行激光开封，直至开封到所述切割后的样品的键合丝位置，并得到开封后的样品；

利用砂纸对所述开封后的样品进行研磨，直至研磨到所述开封后的样品中的芯片钝化层位置，并得到研磨后的样品；

对所述研磨后的样品进行抛光，得到去层后的芯片。

在本申请中，通过研磨或机械方式将陶瓷封装的芯片的金属盖打开，进而利用包封环氧胶对目标芯片进行包封，能够得到包封环氧胶的样品。另一方面，通过将包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，能够得到烘烤硬化后的样品，通过切割烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，可得到切割后的样品，其中，切割后的样品包括芯片部位和位于芯片部位四周的包封环氧胶，再一方面，将切割后的样品的表面的包封环氧胶进行激光开封，直至开封到切割后的样品的键合丝位置，可得到开封后的样品，这样一来，利用砂纸对开封后的样品进行研磨，直至研磨到开封后的样品中的芯片钝化层位置，可得到研磨后的样品，最终对研磨后的样品进行抛光，就可以得到去层后的芯片。

在本申请中，作为一种可选的实施方式，在将所述切割后的样品的表面的包封环氧胶进行激光开封步骤中，激光机的功率为10～30KV。

在本申请实施例中，激光机的功率为10～30KV，能够对陶瓷封装的芯片进行快速开盖,其中开盖时间约1分钟左右,另一方面，采用激光机对陶瓷封装芯片进行开盖，能够避免酸性法开盖受到的影响，例如其中金属部分容易和酸发生化学反应等缺点。

在本申请中，作为一种可选的实施方式，在利用砂纸对所述开封后的样品进行研磨步骤中，所述砂纸的目数在6～30微米之间。

在本可选的实施方式中，通过将砂纸的目数设置在6～30微米之间，能够避免砂纸磨损开封后的样品中的电路结构。