[发明专利]陶瓷封装芯片去层制样方法

权利要求书

1.一种陶瓷封装芯片去层制样方法，其特征在于，所述方法包括：

通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开，所述目标芯片通过陶瓷封装；

利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封，得到包封环氧胶的样品；

将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，得到烘烤硬化后的样品；

切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，得到切割后的样品，所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶；

将所述切割后的样品的表面的包封环氧胶进行激光开封，直至开封到所述切割后的样品的键合丝位置，并得到开封后的样品；

利用砂纸对所述开封后的样品进行研磨，直至研磨到所述开封后的样品中的芯片钝化层位置，并得到研磨后的样品；

对所述研磨后的样品进行抛光，得到去层后的芯片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述切割后的样品的表面的包封环氧胶进行激光开封步骤中，激光机的功率为10～30KV。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在利用砂纸对所述开封后的样品进行研磨步骤中，所述砂纸的目数在6～30微米之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述研磨后的样品进行抛光步骤中所使用的抛光液是非结晶胶体二氧化硅抛光悬浮液。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述研磨后的样品进行抛光步骤中所使用的抛光布是柔软多孔耐化学腐蚀合成布。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化步骤中，所述烘箱的烘烤温度为在80～200℃之间。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烘箱的烘烤温度为90℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封之后，所述将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化之前，所述方法还包括：

对所述包封环氧胶放入所述烘箱中进行预热。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预热的温度为50～100℃。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预热的温度为80℃。