[发明专利]一种Cascode增强型级联器件

说明书

本发明涉及了一种Cascode增强型级联器件，所述级联器件包括：金属板、SiMOSFET器件和GaNHEMT器件；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件均设置在所述金属板上；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件通过所述金属板级联连接。本发明将金属板作为所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件互联的基础，并作为散热片，无需陶瓷板，在提高了器件的散热性能的基础上，降低了成本。

技术领域

本发明涉及开关器件技术领域，特别是涉及一种Cascode增强型级联器件。

背景技术

随着通信技术的发展，消费者对手机充电器的要求越来越高，同时电动汽车发展势头也非常迅猛，对充电的需求也越来越高，小体积高效率是消费者的主要诉求，快充技术应运而生，目前的快充技术主要采用的主开关管目前主要有三种方案：1.直接使用高压Si器件，2.使用E-mode GaN HEMT器件，3.使用D-mode GaN HEMT合封而成的cascode器件。采用GaN基器件可以充分发挥GaN材料耐高温、耐高压、功率密度大、工作频率高的优势，具有非常大的市场潜力，尤其是使用第3种方案可以充分发挥D-mode GaN HEMT工艺简单、重复性高、可靠性好的优势。但是现有的cascode器件由于陶瓷板的使用，存在散热性能差和成本高的技术缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种Cascode增强型级联器件，以提供一种散热性能好，成本低的cascode器件。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

本发明提供一种Cascode增强型级联器件，所述级联器件包括：金属板、Si MOSFET器件和GaN HEMT器件；

所述Si MOSFET器件和所述GaN HEMT器件均设置在所述金属板上；

所述Si MOSFET器件和所述GaN HEMT器件通过所述金属板级联连接。

可选的，所述Si MOSFET器件的D极和所述GaN HEMT器件的S极均与所述金属板连接；

所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极连接。

可选的，所述GaN HEMT器件的Si衬底通过锡膏、银浆或其他低电阻率材料连接在所述金属板上。

可选的，所述Si MOSFET器件的D极通过锡膏、银浆或其他低电阻率材料连接在所述金属板上。

可选的，所述GaN HEMT器件的S极通过打线与所述金属板连接。

可选的，所述级联器件还包括封装器件；

所述Si MOSFET器件的G级与所述封装器件的G极pin脚连接，所述GaN HEMT器件的D极与所述封装器件的D极pin脚连接；

所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极均与所述封装器件的S极pin脚连接。

可选的，所述Si MOSFET器件的G级通过打线与所述封装器件的G极pin脚连接。

可选的，所述GaN HEMT器件的D极通过打线与所述封装器件的D极pin脚连接。

可选的，所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极通过打线与所述封装器件的S极pin脚连接。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：