[发明专利]一种Cascode增强型级联器件在审
| 申请号： | 202111156516.1 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114050153A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 宋亮;武乐可;朱廷刚;李亦衡;章涛 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/492;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cascode 增强 级联 器件 | ||
1.一种Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述级联器件包括：金属板、Si MOSFET器件和GaN HEMT器件；
所述Si MOSFET器件和所述GaN HEMT器件均设置在所述金属板上；
所述Si MOSFET器件和所述GaN HEMT器件通过所述金属板级联连接。
2.根据权利要求1所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述Si MOSFET器件的D极和所述GaN HEMT器件的S极均与所述金属板连接；
所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极连接。
3.根据权利要求2所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的Si衬底通过锡膏或银浆连接在所述金属板上。
4.根据权利要求2所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述Si MOSFET器件的D极通过锡膏或银浆连接在所述金属板上。
5.根据权利要求2所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的S极通过打线与所述金属板连接。
6.根据权利要求2所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，所述级联器件还包括封装器件；
所述Si MOSFET器件的G级与所述封装器件的G极pin脚连接，所述GaN HEMT器件的D极与所述封装器件的D极pin脚连接；
所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极均与所述封装器件的S极pin脚连接。
7.根据权利要求2或6所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，
所述Si MOSFET器件的G级通过打线与所述封装器件的G极pin脚连接。
8.根据权利要求2或6所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，
所述GaN HEMT器件的D极通过打线与所述封装器件的D极pin脚连接。
9.根据权利要求2或6所述的Cascode增强型级联器件，其特征在于，
所述Si MOSFET器件的S极和所述GaN HEMT器件的G极通过打线与所述封装器件的S极pin脚连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏能华微电子科技发展有限公司，未经江苏能华微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111156516.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高低温高磁感取向硅钢附着性的方法
- 下一篇：一种增强换热的高效解冻板
- 同类专利
- 专利分类
