[发明专利]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一驱动芯片包括第一故障检测单元、第一电源检测单元、第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元、第一U相MOS管、第一V相MOS管和第一W相MOS管，所述第一故障检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元和第一电源检测单元电连接，所述第一电源检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元和第一W相控制单元电连接，所述第一U相控制单元与所述第一U相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一W相控制单元与所述第一W相MOS管电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述第一U相控制单元包括第一斯密特触发器、第二斯密特触发器、第一滤波元件、第二滤波元件、第一脉冲处理元件、第一脉冲延时元件、第一高低电平检测元件、第二高低电平检测元件和第一自举元件，所述第一斯密特触发器通过所述第一滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器通过所述第二滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器还与所述第一斯密特触发器电连接，所述第一脉冲处理元件通过所述第一脉冲延时元件分别与所述第一高低电平检测元件和第二高低电平检测元件电连接，所述第一自举元件还与所述第一高低电平检测元件电连接；

所述第一V相控制单元和第一W相控制单元与所述第一U相控制单元结构一致。

4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第二驱动芯片包括第二故障检测单元、第二电源检测单元、第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元、第二U相MOS管、第二V相MOS管和第二W相MOS管，所述第二故障检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元和第二电源检测单元电连接，所述第二电源检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元和第二W相控制单元电连接，所述第二U相控制单元与所述第二U相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二W相控制单元与所述第二W相MOS管电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述第二U相控制单元包括第三斯密特触发器、第四斯密特触发器、第三滤波元件、第四滤波元件、第二脉冲处理元件、第二脉冲延时元件、第三高低电平检测元件、第四高低电平检测元件和第二自举元件，所述第三斯密特触发器通过所述第三滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，所述第四斯密特触发器通过所述第四滤波元件与所述第二脉冲处理元件电连接，所述第四斯密特触发器还与所述第三斯密特触发器电连接，所述第二脉冲处理元件通过所述第二脉冲延时元件分别与所述第三高低电平检测元件和第四高低电平检测元件电连接，所述第二自举元件还与所述第三高低电平检测元件电连接；

所述第二V相控制单元和第二W相控制单元与所述第二U相控制单元结构一致。

6.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一三相电路包括与所述第一驱动芯片电连接的第一U相单元、第一V相单元、第一W相单元、第一电容、第二电容和第三电容，所述第一电容还与所述第一U相单元电连接，所述第二电容还与所述第一V相单元电连接，所述第三电容还与所述第一W相单元电连接。