[发明专利]半导体电路

说明书

本发明公开一种半导体电路，该半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。本发明提供的半导体电路模块通过将至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块集成在一起，从而在实现同时驱动不同设备的情况下，减小模块化智能功率系统的体积以及制造降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体电路技术领域，具体涉及一种半导体电路。

背景技术

半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，集成了智能控制IC和用于功率输出的IGBT、MOSFET、FRD等大功率器件及一些阻容元件，这些元器件通过锡基焊料焊接在铝基板上。

现有的半导体电路大多数是单个三相驱动，对于需要多个三相驱动的设备时需要用到多个半导体电路，以分别驱动对应的设备。但是，这种驱动方式的成本相对昂贵，而且开关频率及载流能力都是固定，限制了高低频的应用场景。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种半导体电路，以解决现有半导体电路只能驱动一个设备的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出的半导体电路包括基板以及设置在所述基板上的至少一个高频驱动模块和至少一个低频驱动模块，所述高频驱动模块包括第一驱动芯片和与所述第一驱动芯片电连接的第一三相电路；所述低频驱动模块包括第二驱动芯片和与所述第二驱动芯片电连接的第二三相电路。

优选地，所述第一驱动芯片包括第一故障检测单元、第一电源检测单元、第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元、第一U相MOS管、第一V相MOS管和第一W相MOS管，所述第一故障检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元、第一W相控制单元和第一电源检测单元电连接，所述第一电源检测单元分别与所述第一U相控制单元、第一V相控制单元和第一W相控制单元电连接，所述第一U相控制单元与所述第一U相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一V相控制单元与所述第一V相MOS管电连接，所述第一W相控制单元与所述第一W相MOS管电连接。

优选地，所述第一U相控制单元包括第一斯密特触发器、第二斯密特触发器、第一滤波元件、第二滤波元件、第一脉冲处理元件、第一脉冲延时元件、第一高低电平检测元件、第二高低电平检测元件和第一自举元件，所述第一斯密特触发器通过所述第一滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器通过所述第二滤波元件与所述第一脉冲处理元件电连接，所述第二斯密特触发器还与所述第一斯密特触发器电连接，所述第一脉冲处理元件通过所述第一脉冲延时元件分别与所述第一高低电平检测元件和第二高低电平检测元件电连接，所述第一自举元件还与所述第一高低电平检测元件电连接；

所述第一V相控制单元和第一W相控制单元与所述第一U相控制单元结构一致。

优选地，所述第二驱动芯片包括第二故障检测单元、第二电源检测单元、第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元、第二U相MOS管、第二V相MOS管和第二W相MOS管，所述第二故障检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元、第二W相控制单元和第二电源检测单元电连接，所述第二电源检测单元分别与所述第二U相控制单元、第二V相控制单元和第二W相控制单元电连接，所述第二U相控制单元与所述第二U相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二V相控制单元与所述第二V相MOS管电连接，所述第二W相控制单元与所述第二W相MOS管电连接。