[发明专利]气体供给环和基片处理装置

说明书

本发明提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。一种在基片处理装置中使用的气体供给环，具有内周面、外周面、位于内周面与外周面之间的第一面、和位于内周面与外周面之间且位于与第一面相反的一侧的第二面，外周面具有至少1个气体入口，第一面具有与至少1个气体入口连通的外侧凹部，第二面具有与外侧凹部连通的第一中间凹部和第二中间凹部，第一面还具有配置在外侧凹部的内侧的第一内侧凹部～第四内侧凹部，第一内侧凹部和第二内侧凹部与第一中间凹部连通，第三内侧凹部和第四内侧凹部与第二中间凹部连通，内周面具有多个气体出口，各气体出口与第一内侧凹部～第四内侧凹部中的任意1个连通。

技术领域

本发明涉及气体供给环和基片处理装置。

背景技术

在基片处理装置中，为了进行等离子体处理等，将处理中要使用的气体从设置在腔室侧壁的呈环状的气体导入部件导入到腔室内。

现有技术文献

专利文献

专利文献1

日本特开2006-086449号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本公开提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。

解决问题的技术手段

本公开的一个方面提供一种在基片处理装置中使用的气体供给环，其具有内周面、外周面、位于内周面与外周面之间的第一面、和位于内周面与外周面之间且位于与第一面相反的一侧的第二面，外周面具有至少1个气体入口，第一面具有与至少1个气体入口连通的外侧凹部，第二面具有与外侧凹部连通的第一中间凹部和第二中间凹部，第一面还具有配置在外侧凹部的内侧的第一内侧凹部～第四内侧凹部，第一内侧凹部和第二内侧凹部与第一中间凹部连通，第三内侧凹部和第四内侧凹部与第二中间凹部连通，内周面具有多个气体出口，各气体出口与第一内侧凹部～第四内侧凹部中的任意1个连通。

发明效果

采用本公开，能够提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式中的基片处理装置之一例的图。

图2是表示本实施方式中的气体环内的流路之一例的图。

图3是表示本实施方式中的气体环的正面之一例的立体图。

图4是表示本实施方式中的气体环的正面之一例的俯视图。

图5是表示本实施方式中的气体环的背面之一例的立体图。

图6是表示本实施方式中的气体环的背面之一例的仰视图。

图7是表示本实施方式中的气体环的设置时的截面之一例的图。

具体实施方式

下面基于附图对要公开的气体供给环和基片处理装置的实施方式进行详细说明。本公开的技术并不限定于以下实施方式。

为了从气体供给环的多个喷出口向腔室内均匀地喷出气体，有时要求使流导(conductance)在多个流路间实现均匀。因此，作为一例，能够使从气体供给环的气体导入口到多个气体喷出口的距离相等。作为使流导在多个流路间实现均匀的方法，已知一种以所谓的竞赛(elimination tournament)方式分支的流路。在将这样的竞赛方式的流路设置于气体供给环的情况下，若喷出口增多则分支数增加，气体环(gas ring)在径向上增大。因此，期待提供一种具有多个流路的紧凑的气体供给环和包括该气体供给环的基片处理装置。另外，期待提供一种能够容易地清洗多个流路的气体供给环，和包括该气体供给环的基片处理装置。

[基片处理装置10的结构]

图1是表示本公开的一个实施方式中的基片处理装置之一例的图。图1所示的基片处理装置10是用于进行灰化处理等等离子体处理的等离子体处理装置的一个例子，其中，灰化处理是使作为处理对象的基片即晶圆W上形成的被蚀刻对象膜上的光致抗蚀剂膜灰化从而将其除去的处理。