[发明专利]一种电平转换电路

说明书

本发明涉及一种电平转换电路，包括第一PMOS管，连接于VBAT和GND之间；第一NMOS管，连接于第一PMOS管和GND之间；第二NMOS管，于延时取反信号的控制下连接于第一NMOS管和GND之间；第二PMOS管，连接于VBAT和第一参考节点之间；第三PMOS管，连接于第二PMOS管和GND之间；第三NMOS管，于反相信号的控制下连接于第三PMOS管和GND之间；第四NMOS管，于启动使能信号的控制下连接于第一参考节点和GND之间；第五NMOS管，连接于第二参考节点和第二电源电压VSS1之间；第四PMOS管，可控制地连接于VBAT和输出电压端。本发明可快速将输入的低压信号转换为高压输出信号。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种电平转换电路。

背景技术

电平转换电路在电路领域有很广泛的应用，常规的电平转换电路如图1所示，包括第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1，交叉耦合式连接的第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2，以及第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4；第一NMOS管NM0的栅极连接输入信号Vin，第二NMOS管NM1的栅极连接输入信号的反相信号Vinb，第一NMOS管NM0的源极和第二NMOS管NM1的源极NM1连接至接地端GND；第一PMOS管PM1的栅极连接第二PMOS管PM2的漏极，作为输出信号端vout，第一PMOS管PM1的源极与第二PMOS管PM2的源极连接至电源电压VBAT，第二PMOS管PM2的栅极连接第一PMOS管PM1的漏极，该连接点的信号记作voutb，第三PMOS管PM3的栅极连接第四PMOS管PM4的栅极，该连接点的信号记作vpb，第三PMOS管PM3的源极连接第一PMOS管PM1的漏极，第三PMOS管PM3的漏极连接第一NMOS管NM0的漏极，第四PMOS管PM4的源极连接第二PMOS管PM2的漏极，第四PMOS管PM4的漏极连接第二NMOS管NM1的漏极。当低压电源与高压电源超过3倍时，特别是应用于高压电路中，现有的电平转换电路存在着转换速度较慢的问题，很难应用于高速高压电路中，而且上电启动时容易出现不稳定态，导致电路出错。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种电平转换电路。

一种电平转换电路，包括，

输入电压端，接收输入信号(Vin)；

输出电压端，输出转换后的信号(Out)；

第一PMOS管(PM10)，于一第一参考节点(X1)的作用下可控制地连接于一第一电源电压(VBAT)和接地端(GND)之间；

第一NMOS管(NM0)，于所述输入信号(Vin)的控制下可控制地连接于所述第一PMOS管(PM10)和接地端(GND)之间；

第二NMOS管(NM10)，于所述输入信号(Vin)的延时取反信号(Vind_b)的控制下可控制地连接于所述第一NMOS管(NM0)和所述接地端(GND)之间；

第二PMOS管(PM11)，所述第二PMOS管(PM11)的栅极连接所述第一PMOS管(PM10)的漏极，可控制地连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述第一参考节点(X1)之间；

第三PMOS管(PM0)，可控制地连接于所述第二PMOS管(PM11)和所述接地端(GND)之间；

第三NMOS管(NM1)，于所述输入信号(Vin)的反相信号(Vinb)的控制下可控制地连接于所述第三PMOS管(PM0)和所述接地端(GND)之间；

第四NMOS管(NM2)，于一启动使能信号(startn)的控制下可控制地连接于所述第一参考节点(X1)和所述接地端(GND)之间；

第五NMOS管(NM13)，于所述第一参考节点(X1)的控制下可控制地连接于一第二参考节点(X2)和一第二电源电压(VSS1)之间；