[发明专利]一种电平转换电路有效
| 申请号: | 202111144563.4 | 申请日: | 2021-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN114095012B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 廖宝斌 | 申请(专利权)人: | 荣湃半导体(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/017 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 党蕾 |
| 地址: | 200120 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电平 转换 电路 | ||
1.一种电平转换电路,其特征在于,包括,
输入电压端,接收输入信号(Vin);
输出电压端,输出转换后的信号(Out);
第一PMOS管(PM10),于一第一参考节点(X1)的作用下可控制地连接于一第一电源电压(VBAT)和接地端(GND)之间;
第一NMOS管(NM0),于所述输入信号(Vin)的控制下可控制地连接于所述第一PMOS管(PM10)和接地端(GND)之间;
第二NMOS管(NM10),于所述输入信号(Vin)的延时取反信号(Vind_b)的控制下可控制地连接于所述第一NMOS管(NM0)和所述接地端(GND)之间;
第二PMOS管(PM11),所述第二PMOS管(PM11)的栅极连接所述第一PMOS管(PM10)的漏极,可控制地连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述第一参考节点(X1)之间;
第三PMOS管(PM0),可控制地连接于所述第二PMOS管(PM11)和所述接地端(GND)之间,所述第三PMOS管(PM0)的栅极连接一第四电源电压(Vpb1);
第三NMOS管(NM1),于所述输入信号(Vin)的反相信号(Vinb)的控制下可控制地连接于所述第三PMOS管(PM0)和所述接地端(GND)之间;
第四NMOS管(NM2),于一启动使能信号(startn)的控制下可控制地连接于所述第一参考节点(X1)和所述接地端(GND)之间;
第五NMOS管(NM13),于所述第一参考节点(X1)的控制下可控制地连接于一第二参考节点(X2)和一第二电源电压(VSS1)之间;
第四PMOS管(PM14),于所述第二参考节点(X2)的控制下可控制地连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述输出电压端。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括一第六NMOS管(NM11),所述第六NMOS管(NM11)的栅极与漏极与所述第一电源电压(VBAT)连接,所述第六NMOS管(NM11)的源极连接所述第一PMOS管(PM10)的漏极。
3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括第五PMOS管(PM12),所述第五PMOS管(PM12)的栅极连接所述第二参考节点(X2),所述第五PMOS管(PM12)的源极连接所述第一电源电压(VBAT),所述第五PMOS管(PM12)的漏极连接所述第一参考节点(X1)。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括第六PMOS管(PM13),所述第六PMOS管(PM13)的栅极连接所述第一参考节点(X1),所述第六PMOS管(PM13)的源极连接所述第一电源电压(VBAT),所述第六PMOS管(PM13)的漏极连接所述第二参考节点(X2)。
5.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括一第一电阻,连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述第一参考节点(X1)之间。
6.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括:
一第一二极管D0,所述第一二极管D0的阳极连接所述第一NMOS管(NM0)的源极,所述第一二极管D0的阴极连接一第三电源电压vdd5v;
一第二二极管(D1),所述第二二极管(D1)的阳极连接所述第四NMOS管(NM2)的源极,所述第四NMOS管(NM2)的源极与所述接地端(GND)之间还连接一第二电阻(R2)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于荣湃半导体(上海)有限公司,未经荣湃半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111144563.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





