[发明专利]一种电平转换电路有效

专利信息
申请号: 202111144563.4 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN114095012B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 廖宝斌 申请(专利权)人: 荣湃半导体(上海)有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/017
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 党蕾
地址: 200120 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换电路,其特征在于,包括,

输入电压端,接收输入信号(Vin);

输出电压端,输出转换后的信号(Out);

第一PMOS管(PM10),于一第一参考节点(X1)的作用下可控制地连接于一第一电源电压(VBAT)和接地端(GND)之间;

第一NMOS管(NM0),于所述输入信号(Vin)的控制下可控制地连接于所述第一PMOS管(PM10)和接地端(GND)之间;

第二NMOS管(NM10),于所述输入信号(Vin)的延时取反信号(Vind_b)的控制下可控制地连接于所述第一NMOS管(NM0)和所述接地端(GND)之间;

第二PMOS管(PM11),所述第二PMOS管(PM11)的栅极连接所述第一PMOS管(PM10)的漏极,可控制地连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述第一参考节点(X1)之间;

第三PMOS管(PM0),可控制地连接于所述第二PMOS管(PM11)和所述接地端(GND)之间,所述第三PMOS管(PM0)的栅极连接一第四电源电压(Vpb1);

第三NMOS管(NM1),于所述输入信号(Vin)的反相信号(Vinb)的控制下可控制地连接于所述第三PMOS管(PM0)和所述接地端(GND)之间;

第四NMOS管(NM2),于一启动使能信号(startn)的控制下可控制地连接于所述第一参考节点(X1)和所述接地端(GND)之间;

第五NMOS管(NM13),于所述第一参考节点(X1)的控制下可控制地连接于一第二参考节点(X2)和一第二电源电压(VSS1)之间;

第四PMOS管(PM14),于所述第二参考节点(X2)的控制下可控制地连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述输出电压端。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括一第六NMOS管(NM11),所述第六NMOS管(NM11)的栅极与漏极与所述第一电源电压(VBAT)连接,所述第六NMOS管(NM11)的源极连接所述第一PMOS管(PM10)的漏极。

3.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括第五PMOS管(PM12),所述第五PMOS管(PM12)的栅极连接所述第二参考节点(X2),所述第五PMOS管(PM12)的源极连接所述第一电源电压(VBAT),所述第五PMOS管(PM12)的漏极连接所述第一参考节点(X1)。

4.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括第六PMOS管(PM13),所述第六PMOS管(PM13)的栅极连接所述第一参考节点(X1),所述第六PMOS管(PM13)的源极连接所述第一电源电压(VBAT),所述第六PMOS管(PM13)的漏极连接所述第二参考节点(X2)。

5.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括一第一电阻,连接于所述第一电源电压(VBAT)和所述第一参考节点(X1)之间。

6.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,还包括:

一第一二极管D0,所述第一二极管D0的阳极连接所述第一NMOS管(NM0)的源极,所述第一二极管D0的阴极连接一第三电源电压vdd5v;

一第二二极管(D1),所述第二二极管(D1)的阳极连接所述第四NMOS管(NM2)的源极,所述第四NMOS管(NM2)的源极与所述接地端(GND)之间还连接一第二电阻(R2)。

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