[发明专利]用于3D共形处理的原子层处理腔室在审
| 申请号： | 202111142728.4 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113981414A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘炜;阿布拉什·J·马约尔;菲利普·斯托特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/48;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 处理 原子 | ||
1.一种处理腔室，包括：
底部；
侧壁；
顶部，其中所述底部、所述侧壁及所述顶部界定处理区域；
注射口，所述注射口形成于所述侧壁中并通往所述处理区域；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理区域中；
温度控制元件，所述温度控制元件设置在所述基板支撑件中；
闪热源，所述闪热源设置在所述基板支撑件上方，其中所述闪热源包括多个激光器；以及
原子团气体源，所述原子团气体源耦接至所述注射口。
2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述温度控制元件包括加热元件。
3.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括净化气体源。
4.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括分隔件，所述分隔件设置在所述处理区域中。
5.根据权利要求4所述的处理腔室，其中所述分隔件形成两个处理站。
6.根据权利要求4所述的处理腔室，其中所述分隔件包括实体分隔件或空气幕。
7.一种处理腔室，包括：
底部；
侧壁；
顶部，其中所述底部、所述侧壁及所述顶部界定处理区域；
注射口，所述注射口形成于所述侧壁中并通往所述处理区域；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理区域中；
温度控制元件，所述温度控制元件设置在所述基板支撑件中；
闪热源，所述闪热源设置在所述基板支撑件上方，其中所述闪热源包括多个灯；以及
原子团气体源，所述原子团气体源耦接至所述注射口。
8.根据权利要求7所述的处理腔室，其中所述温度控制元件包括加热元件。
9.根据权利要求7所述的处理腔室，进一步包括净化气体源。
10.根据权利要求7所述的处理腔室，进一步包括分隔件，所述分隔件设置在所述处理区域中。
11.根据权利要求10所述的处理腔室，其中所述分隔件形成两个处理站。
12.根据权利要求10所述的处理腔室，其中所述分隔件包括实体分隔件或空气幕。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
