[发明专利]一种极细金线焊接方法、焊接结构及其应用

权利要求书

1.一种极细金线焊接方法，其特征在于包括：

提供带有基板焊盘(3)的基板(1)和带有芯片焊盘(4)的芯片(2)；

采用金线(7)在芯片焊盘(4)上种植芯片焊球(6)作为第一焊点，并从第一焊点拉线弧到基板焊盘(3)上焊接第二焊点；

其中，所述金线(7)的直径在16μm以下。

2.根据权利要求1所述的极细金线焊接方法，其特征在于还包括：预先采用金线(7)在基板焊盘(3)上种植基板焊球(5)，并将所述线弧拉到基板焊球(5)上形成第二焊点。

3.根据权利要求1所述的极细金线焊接方法，其特征在于：所述芯片焊盘(4)的焊盘宽度在40μm以下、焊盘间距在50μm以下。

4.根据权利要求1所述的极细金线焊接方法，其特征在于：采用超声焊接方式在所述基板焊盘(3)、芯片焊盘(4)上种植基板焊球(5)、芯片焊球(6)；优选的，所述超声焊接方式所采用的焊接劈刀包括PECO公司出品的B0608-28-13-06型劈刀。

5.根据权利要求1所述的极细金线焊接方法，其特征在于：所述基板焊盘(3)、芯片焊盘(4)的材质包括铝、金、镍金中的任意一种；和/或，所述焊接劈刀的植球过程包括第一阶段、第二阶段和第三阶段。

6.根据权利要求5所述的极细金线焊接方法，其特征在于，若所述基板焊盘(3)、芯片焊盘(4)的材质为铝，则所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工艺条件包括：

第一阶段至第三阶段均采用压力模式；

其中，所述第一阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为5～20mA、3～5mS、25～45g；

所述第二阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为10～30mA、1～3mS、10～30g；

所述第三阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为65～110mA、11～13mS、7～10g。

7.根据权利要求5所述的极细金线焊接方法，其特征在于，若所述基板焊盘(3)、芯片焊盘(4)的材质为金，则所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工艺条件包括：

第一阶段至第三阶段均采用F模式；

其中，所述第一阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为0～15mA、3～5mS、20～45g；

所述第二阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为25～55mA、5～7mS、5～7g；

所述第三阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为40～85mA、7～10mS、7～10g。

8.根据权利要求5所述的极细金线焊接方法，其特征在于，若所述基板焊盘(3)、芯片焊盘(4)的材质为镍金，则所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工艺条件包括：

第一阶段至第三阶段均采用F模式；

其中，所述第一阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为0～15mA、1～3mS、25～50g；

所述第二阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为100～130mA、8～12mS、5～8g；

所述第三阶段的超声能量、植球时间、植球压力分别设定为120～150mA、13～17mS、10～15g。

9.一种由权利要求1-8中任一项所述方法形成的极细金线焊接结构。

10.一种封装结构，包括带有基板焊盘(3)的基板(1)和带有芯片焊盘(4)的芯片(2)，其特征在于：所述基板焊盘(3)和芯片焊盘(4)通过权利要求9所述的极细金线焊接结构电性连接。