[发明专利]封装天线及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种封装天线的制备方法，其特征在于，包括：

通过三维打印工艺，形成介质基板，并在所述介质基板上依次形成天线单元和封装结构层；

提供集成电路芯片，将所述集成电路芯片与所述天线单元连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成介质基板，包括：

采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，形成所述介质基板。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成天线单元，包括：

所述天线单元中的金属层采用金属浆料进行微点胶工艺形成，其中，所述天线单元中的金属层包括：辐射层、馈线层和接地层；

所述天线单元中的介质层采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺形成，其中，所述天线单元中的介质层包括：第一天线介质层和第二天线介质层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成封装结构层，包括：

采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，在所述天线单元的远离所述介质基板的一侧形成封装介质层；

采用金属浆料进行微点胶工艺，形成信号线层。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述金属浆料包括：金属粉末和热熔性粘接剂，其中，所述金属粉末包括：金、银和铜中的任意一种。

6.根据权利要求2至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述热塑性材料包括：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS材料、聚乳酸PLA材料和聚碳酸酯PC材料中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述集成电路芯片与所述天线单元连接，包括：通过倒装方式，将所述集成电路芯片与所述天线单元连接。

8.根据权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，所述集成电路芯片包括：单片微波集成电路MMIC芯片。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述MMIC芯片包括：低噪声放大器芯片、功率放大器芯片、射频开关芯片和收发芯片中的任意一种或多种。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述天线单元包括：贴片天线、缝隙天线、栅格天线和偶极子天线中的任意一种。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过三维打印工艺，形成介质基板，并在所述介质基板上依次形成天线单元和封装结构层包括：

获取封装天线对应的预先建立的三维打印模型；

基于所述三维打印模型，通过三维打印工艺，形成所述介质基板，并在所述介质基板上依次形成天线单元和封装结构层。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：封装天线，其中，所述封装天线由如权利要求1至11任一项所述的制备方法制得。

13.一种封装天线，其特征在于，包括：介质基板以及位于所述介质基板一侧的天线单元、封装结构层和集成电路芯片，其中，所述集成电路芯片与所述天线单元连接，所述介质基板、所述天线单元和所述封装结构层通过三维打印工艺制备。

14.根据权利要求13所述的封装天线，其特征在于，所述天线单元包括：辐射层、第一天线介质层、馈线层、第二天线介质层和接地层，其中，所述介质基板、所述第一天线介质层和所述第二天线介质层通过熔融沉积成型工艺采用热塑性材料制成，所述辐射层、所述馈线层和所述接地层通过微点胶工艺采用金属浆料制成。

15.根据权利要求14所述的封装天线，其特征在于，所述封装结构层包括：位于所述天线单元的远离所述介质基板的一侧的封装介质层和信号线层，其中，所述封装介质层通过熔融沉积成型工艺采用热塑性材料制成，所述信号线层通过微点胶工艺采用金属浆料制成。