[发明专利]半导体切割刀片

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体切割刀片，所述半导体切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。在本发明实施例中，大砂层相对粗糙，因而可以提高速率，刀片进给速度快，能保持刀片的刚性，细砂层的设计使得切割后的半导体侧壁变得光滑，大砂层和细砂层的配合能够确保半导体获得良好的切割效果，从而避免了现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体切割刀片。

背景技术

随着半导体产业的发展，半导体元器件的尺寸越来越小。这对半导体切割提出了更加严格的要求，当前的单叶片的切割工艺，即使采用很小很薄的刀片，也容易造成半导体元器件的边缘的破碎，从而导致半导体损坏。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种半导体切割刀片，其能够避免现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种所述半导体切割刀片，所述半导体切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。

作为优选方案，所述大砂层的磨粒的平均直径为200-300um,所述细砂层的磨粒的平均直径20-30um。

作为优选方案，所述大砂层包括金刚石、c-BN、Cr-N和TiN，所述大砂层的磨粒为金刚石。

作为优选方案，所述大砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为1:9。

作为优选方案，所述细砂层包括金刚石、c-BN、Cr-N和TiN，所述细砂层的磨粒为金刚石。

作为优选方案，所述细砂层中的金刚石体积与所述大砂层总体积的比例为3:7。

作为优选方案，所述细砂层的密度为12-20g/立方厘米，所述大砂层的密度为8-20g/立方厘米。

作为优选方案，所述大砂层的平均厚度为0.8-1.0mm。

作为优选方案，所述细砂层的厚度为0.1-0.15mm。

相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种半导体切割刀片，所述半导体切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。在本发明实施例中，使用所述半导体切割刀片对半导体进行切割，由于大砂层相对粗糙，因而可以提高速率，刀片进给速度快，能保持刀片的刚性，细砂层的设计使得切割后的半导体侧壁变得光滑，大砂层和细砂层的配合能够确保半导体获得良好的切割效果，从而避免了现有技术采用单叶片的切割工艺造成半导体损坏的问题。

附图说明

图1是本发明实施例中的半导体切割刀片的结构示意图；

其中，1、大砂层；2、细砂层.

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1所示，其是本发明实施例中的半导体切割刀片的结构示意图。

本发明实施例的半导体切割刀片包括大砂层以及两层细砂层，所述大砂层设于两层所述细砂层之间，所述大砂层的磨粒的平均直径大于所述细砂层的磨粒的平均直径。