[发明专利]一种碳化硅籽晶的清洗方法

说明书

本发明涉及一种碳化硅籽晶的清洗方法，属于碳化硅制备技术领域。为解决现有碳化硅籽晶清洗方法清洗不当，造成次品率提高的问题，本发明提供了一种碳化硅籽晶的清洗方法，包括碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液、使用氢氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗净残留的氢氟酸溶液、使用硫酸与双氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶和使用PVA刷头对碳化硅籽晶正反面进行物理摩擦刷洗。本发明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纤维杂质和大颗粒，清洗后的碳化硅籽晶没有崩、坑、油、脏污和划伤缺陷，能够减少次品率，保证碳化硅单晶和器件的质量。

技术领域

本发明属于碳化硅制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅籽晶的清洗方法。

背景技术

典型的碳化硅晶体制备方法为PVT法，碳化硅粉料在高温下升华挥发后在碳化硅籽晶处结晶生长，形成碳化硅晶体。晶体的缺陷会直接影响到所制备器件的质量，因此在晶体生长过程中往往需要采用各种方法减少晶体缺陷的产生。采用无缺陷或少缺陷且表现粗糙度交底的籽晶来生长晶体也是减少晶体缺陷的方法之一。

碳化硅晶片上的有机、无机和颗粒状杂质通常是以化学或物理吸附的方式结合在晶片表面或包埋于晶片自身的氧化膜中，这些沾染物及颗粒状杂质会严重影响器件的性能、可靠性和成品率。实验表明，大部分晶片次品是由于现有清洗方法对碳化硅籽晶清洗不当造成的，因此如何更好的清洗碳化硅籽晶是行业内必须完善的方法。

发明内容

为解决现有碳化硅籽晶清洗方法清洗不当，造成次品率提高的问题，本发明提供了一种碳化硅籽晶的清洗方法。

本发明的技术方案：

一种碳化硅籽晶的清洗方法，包括如下步骤：

步骤一、碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液；

步骤二、使用氢氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗净残留的氢氟酸溶液；

步骤三、使用硫酸与双氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶；

步骤四、使用PVA刷头对碳化硅籽晶正反面进行物理摩擦刷洗；获得清洁的碳化硅籽晶。

进一步的，步骤一所述清水冲洗时间为10～30min。

进一步的，步骤二所述氢氟酸溶液清洗时间为15～20min，所述氢氟酸溶液的浓度为40％。

进一步的，步骤二所述QDR方式为喷淋10min、清洗3min、鼓泡5min，快排5s。

进一步的，步骤三所述混合溶液由98％浓度的硫酸与100％浓度的双氧水按体积比为3：7配制。

进一步的，步骤三所述清洗时间为15～30min。

进一步的，步骤四所述物理摩擦力度不得超过30N。

本发明的有益效果：

本发明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纤维杂质和大颗粒，清洗后的碳化硅籽晶没有崩、坑、油、脏污和划伤缺陷，能够减少次品率，保证碳化硅单晶和器件的质量。

附图说明

图1为实施例1清洗后的碳化硅籽晶在CS60检查设备上显示的籽晶结晶度图片。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的保护范围中。下列实施例中未具体注明的工艺设备或装置均采用本领域内的常规设备或装置，若未特别指明，本发明实施例中所用的原料等均可市售获得；若未具体指明，本发明实施例中所用的技术手段均为本领域技术人员所熟知的常规手段。