[发明专利]一种碳化硅籽晶的清洗方法在审
| 申请号： | 202111136639.9 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113862792A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36;B08B1/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 籽晶 清洗 方法 | ||
1.一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、碳化硅籽晶抛光后使用清水冲洗碳化硅籽晶表面的抛光液；
步骤二、使用氢氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗净残留的氢氟酸溶液；
步骤三、使用硫酸与双氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶；
步骤四、使用PVA刷头对碳化硅籽晶正反面进行物理摩擦刷洗；获得清洁的碳化硅籽晶。
2.根据权利要求1所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤一所述清水冲洗时间为10～30min。
3.根据权利要求1或2所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤二所述氢氟酸溶液清洗时间为15～20min。
4.根据权利要求3所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤二所述氢氟酸溶液的浓度为40％。
5.根据权利要求4所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤二所述QDR方式为喷淋10min、清洗3min、鼓泡5min，快排5s。
6.根据权利要求5所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤三所述混合溶液由98％浓度的硫酸与100％浓度的双氧水按体积比为3：7配制。
7.根据权利要求6所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤三所述清洗时间为15～30min。
8.根据权利要求7所述一种碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步骤四所述物理摩擦力度不得超过30N。
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