[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基底基板，具有彼此相反的上表面和下表面，并包括布线图案；

中介层基板，设置在所述基底基板的所述上表面上，并具有彼此相反的上表面和下表面，并且包括电连接到所述布线图案的至少一个下再分布图案，并且还包括设置在所述至少一个下再分布图案上并电连接到所述至少一个下再分布图案的至少一个上再分布图案；

半导体结构，设置在所述中介层基板的所述上表面上，并电连接到所述至少一个上再分布图案；

散热结构，设置在所述基底基板的所述上表面上，并覆盖所述中介层基板和所述半导体结构；

多个外连接凸块，设置在所述基底基板的所述下表面上，并连接到所述布线图案；

多个下连接凸块，设置在所述基底基板和所述中介层基板之间，并连接所述布线图案和所述至少一个下再分布图案；以及

多个上连接凸块，设置在所述中介层基板和所述半导体结构之间，并连接所述至少一个上再分布图案和所述半导体结构，

其中所述多个外连接凸块当中的彼此相邻的一对外连接凸块之间的距离在0.8mm至1.5mm的范围内，

所述多个下连接凸块当中的彼此相邻的一对下连接凸块之间的距离在0.1mm至0.7mm的范围内，以及

所述多个上连接凸块当中的彼此相邻的一对上连接凸块之间的距离在50μm至150μm的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述布线图案、所述至少一个下再分布图案和所述至少一个上再分布图案在第一方向上延伸，

其中所述布线图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的线宽在40μm至70μm的范围内，

所述至少一个下再分布图案在所述第二方向上的线宽在7μm至20μm的范围内，以及

所述至少一个上再分布图案在所述第二方向上的线宽在5μm至10μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述基底基板的最小宽度在40mm至80mm的范围内，以及

所述中介层基板的最小宽度在10mm至20mm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括无源元件，所述无源元件设置在所述中介层基板的所述下表面上，并电连接到所述至少一个下再分布图案。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个下再分布图案和所述至少一个上再分布图案是分别位于不同层级上的多个下再分布图案和多个上再分布图案，

其中所述中介层基板还包括：

至少一个下绝缘层，所述多个下再分布图案设置在所述至少一个下绝缘层上，

下再分布通路，穿透所述至少一个下绝缘层以互连所述多个下再分布图案，

至少一个上绝缘层，所述多个上再分布图案设置在所述至少一个上绝缘层上，并且所述至少一个上绝缘层堆叠在所述至少一个下绝缘层的一个表面上，

上再分布通路，穿透所述至少一个上绝缘层，以互连所述多个上再分布图案或连接所述多个上再分布图案和所述多个下再分布图案；以及

保护绝缘层，设置在所述至少一个下绝缘层的另一表面上并覆盖所述多个下再分布图案的至少一部分，所述另一表面与所述至少一个下绝缘层的所述一个表面相反，

其中所述多个下再分布图案和所述多个上再分布图案基于所述至少一个下绝缘层和所述至少一个上绝缘层之间的接触边界线在相反方向上突出。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述至少一个上绝缘层包括感光树脂，

其中所述至少一个下绝缘层和所述保护绝缘层包括非感光树脂。

7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述下再分布通路和所述上再分布通路具有在彼此相反的方向上逐渐变细的形状。

8.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述下再分布通路的最大直径在60μm至80μm的范围内，所述上再分布通路的最大直径在10μm至30μm的范围内。