[发明专利]控制集成电路和降压电源变换器

说明书

本申请提供了一种控制集成电路和降压电源变换器，通过半导体开关模块根据高电平驱动信号导通并生成第一低电平，或者根据低电平驱动信号关闭并生成第一高电平；通过场效应管开关模块根据第一低电平和辅助电源模块导通并生成第二高电平，或者根据第一高电平关闭并生成第二低电平；通过三极管驱动模块根据第二高电平和辅助电源模块增加输出电压直至开关晶体管导通；或者根据第二低电平减小输出电压直至开关晶体管关闭。本申请通过半导体开关模块、场效应管开关模块、二极管模块和三极管驱动模块组成半导体驱动组件，使控制模块与直流输入电压之间没有低阻抗的连接关系，可以直接应用于高直流输入电压以及占空比较大的应用场景中。

技术领域

本申请属于电源技术领域，尤其涉及一种控制集成电路和降压电源变换器。

背景技术

降压电源变换器内一般都设有控制集成电路，其直接驱动开关晶体管的导通和关断，但是控制集成电路的耐压值一般较低，当输入电压较高时，现有控制集成电路的耐压值无法满足。

为了使控制集成电路应用在输入电压较高的应用场景中，通常会采用驱动变压器控制开关晶体管的导通和关断，但是该种方式不能适用于占空比较大的场景，同时驱动变压器的励磁电感对驱动信号有延时作用且变压器本身体积较大。

发明内容

本申请的目的在于提供一种控制集成电路和降压电源变换器，旨在解决传统的控制集成电路耐压值低的问题。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种控制集成电路，包括：

半导体开关模块，被配置为根据高电平驱动信号导通并生成第一低电平，或者根据低电平驱动信号关闭并生成第一高电平；

二极管模块，与所述场效应管开关模块电连接，被配置为钳位所述场效应管开关模块；

场效应管开关模块，与所述半导体开关模块和辅助电源模块电连接，被配置为根据所述第一低电平和所述辅助电源模块导通并生成第二高电平，或者根据所述第一高电平关闭并生成第二低电平；

三极管驱动模块，与所述场效应管开关模块和所述辅助电源模块电连接，被配置为根据所述第二高电平和所述辅助电源模块增加输出电压直至开关晶体管导通；或者根据所述第二低电平减小输出电压直至所述开关晶体管关闭。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述半导体开关模块包括第一电阻、第六电阻和第二NPN型三极管；

所述第一电阻的一端与所述驱动信号电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二NPN型三极管的基极电连接，所述第二NPN型三极管的集电极与所述第六电阻的一端电连接；

或者，所述半导体开关模块包括第一电阻、第六电阻和第二NMOS管；

所述第一电阻的一端与所述驱动信号电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第六电阻的一端电连接。

在第一方面的另一种可能的实施方式中，所述场效应管开关模块包括第二电阻、第七电阻和第三PMOS管；

所述第二电阻的一端与所述第六电阻的另一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第七电阻的一端和所述第三PMOS管的栅极电连接，所述第三 PMOS管的源极和所述第七电阻的另一端与所述辅助电源模块电连接。

在第一方面的另一种可能的实施方式中，所述三极管驱动模块包括第三电阻、第四电阻、第四NPN型三极管、第五PNP型三极管和第五电阻；