[发明专利]控制集成电路和降压电源变换器

权利要求书

1.一种控制集成电路，其特征在于，包括：

半导体开关模块，被配置为根据高电平驱动信号导通并生成第一低电平，或者根据低电平驱动信号关闭并生成第一高电平；

场效应管开关模块，与所述半导体开关模块和辅助电源模块电连接，被配置为根据所述第一低电平和所述辅助电源模块导通并生成第二高电平，或者根据所述第一高电平关闭并生成第二低电平；

二极管模块，与所述场效应管开关模块电连接，被配置为钳位所述场效应管开关模块；

三极管驱动模块，与所述场效应管开关模块和所述辅助电源模块电连接，被配置为根据所述第二高电平和所述辅助电源模块增加输出电压直至开关晶体管导通；或者根据所述第二低电平减小输出电压直至所述开关晶体管关闭。

2.如权利要求1所述的控制集成电路，其特征在于，所述半导体开关模块包括第一电阻、第六电阻和第二NPN型三极管；

所述第一电阻的一端与所述驱动信号电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二NPN型三极管的基极电连接，所述第二NPN型三极管的集电极与所述第六电阻的一端电连接；

或者，所述半导体开关模块包括第一电阻、第六电阻和第二NMOS管；

所述第一电阻的一端与所述驱动信号电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第六电阻的一端电连接。

3.如权利要求2所述的控制集成电路，其特征在于，所述场效应管开关模块包括第二电阻、第七电阻和第三PMOS管；

所述第二电阻的一端与所述第六电阻的另一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第七电阻的一端和所述第三PMOS管的栅极电连接，所述第三PMOS管的源极和所述第七电阻的另一端与所述辅助电源模块电连接。

4.如权利要求3所述的控制集成电路，其特征在于，所述三极管驱动模块包括第三电阻、第四电阻、第四NPN型三极管、第五PNP型三极管和第五电阻；

所述第三电阻的一端与所述第三PMOS管的漏极电连接，所述第三电阻的另一端与第四NPN型三极管的基极、所述第五PNP型三极管的基极和所述第四电阻的一端电连接，所述第四NPN型三极管的集电极与所述辅助电源模块电连接，所述第四NPN型三极管的发射极和所述第五PNP型三极管的发射极与所述第五电阻的一端电连接，所述第四电阻的另一端和所述第五PNP型三极管的集电极接地。

5.如权利要求2所述的控制集成电路，其特征在于，所述半导体开关模块还包括第十电阻；

所述第十电阻的一端与所述第二NPN型三极管的基极电连接，所述第十电阻的另一端与所述第二NPN型三极管的发射极电连接；

或者，所述第十电阻的一端与所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第十电阻的另一端与所述第二NMOS管的源极电连接。

6.如权利要求3所述的控制集成电路，其特征在于，所述场效应管开关模块还包括第三二极管、第十四电阻和第八NPN三极管；

所述第三二极管的负极与所述第二电阻的一端、所述第十四电阻的一端和第八NPN三极管的基极电连接，所述第三二极管的正极与所述第八NPN三极管的发射极、所述第七电阻的一端和所述第三PMOS管的栅极电连接，所述第十四电阻的另一端和所述第八NPN三极管的集电极与所述辅助电源模块电连接。