[发明专利]一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法

说明书

本发明涉及一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢处理工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。本发明的目的在于提供一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。

技术领域

本发明涉及一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法。

背景技术

当前，太阳能电池的研发与制作，主要围绕着降本增效方向展开，提高太阳电池的转换效率是发展太阳能事业的根本，降低太阳电池的制作成本是壮大太阳能事业的基础，是满足大规模生产的先决条件。

硅片是生产硅基太阳电池片所用的载体，一般分为单晶硅片、铸造单晶硅硅片和多晶硅片。众所周知，高水平的表面钝化是提高异质结太阳能电池转换效率的主要因素，而硅片生产过程中存在的缺陷和杂质极大影响了硅片的钝化水平，特别是铸造单晶硅硅片和多晶硅片中存在的缺陷尤其严重。

现有的异质结太阳能电池制备方法，无法改善硅片在生产过程中造成的缺陷和杂质，因此硅基异质结太阳能电池对硅片的品质要求较高，不但影响其电池转换效率，而且大大提高了硅片的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢处理工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：

(1)采用氢处理，在硅片表面形成一层较低的间隙氧含量、较低的金属杂质的高洁净层，大大提高了表面钝化水平。

(2)利用PSG吸杂，将金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放，并扩散到硅片表面而被捕获，达到清除杂质的目的，并且能够提高硅片的体少子寿命。

(3)采用高温退火方式，将晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，最终达到提高异质结太阳电池的电池效率。

附图说明

图1是本发明一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法实施例的流程简图。

具体实施方式

一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢处理工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。

所述氢处理工序的具体方法如下,将制绒后的半导体基板放在氢气环境下采用等离子体增强化学的气相沉积法对半导体基板表面进行氢处理。

所述氢处理工序的具体方法如下,将制绒后的半导体基板放入等离子体增强化学气相沉积设备中，使用纯度99.9999％的高纯氢气进行氢处理，氢气流量为500sccm-5000sccm，处理功率为200-500W，处理时间为20-120s，腔室压力为10pa-100pa，腔室温度不超过200℃，从而形成洁净层；完成氢处理工序后，直接进行半导体膜层沉积。

所述半导体膜层沉积的具体方法为，对氢处理形成洁净层后的半导体基板的正背面分别沉积不同导电型的半导体层；所述半导体层的导电型主要为N型和P型；所述N型半导体层包括本征层和N型掺杂层，所述P型半导体层包括本征层和P型掺杂层。