[发明专利]一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法

权利要求书

1.一种采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：它包括氢处理工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢处理。

2.根据权利要求1所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢处理工序的具体方法如下,将制绒后的半导体基板放在氢气环境下采用等离子体增强化学的气相沉积法对半导体基板表面进行氢处理。

3.根据权利要求2所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢处理工序的具体方法如下,将制绒后的半导体基板放入等离子体增强化学气相沉积设备中，使用纯度99.9999％的高纯氢气进行氢处理，氢气流量为500sccm-5000sccm，处理功率为200-500W，处理时间为20-120s，腔室压力为10pa-100pa，腔室温度不超过200℃，从而形成洁净层；完成氢处理工序后，直接进行半导体膜层沉积。

4.根据权利要求2所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述半导体膜层沉积的具体方法为，对氢处理后的半导体基板的正背面分别沉积不同导电型的半导体层；所述半导体层的导电型主要为N型和P型；所述N型半导体层包括本征层和N型掺杂层，所述P型半导体层包括本征层和P型掺杂层。

5.根据权利要求4所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述N型半导体层包括本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，所述P型半导体层包括本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；沉积本征非晶硅层的工艺气体主要由SiH₄、H₂、CO₂和CH₄中的几种组合构成；沉积N型掺杂非晶硅层的工艺气体主要由SiH₄、H₂和PH₃构成；沉积P型掺杂非晶硅层的工艺气体主要由SiH₄、H₂、CO₂、CH₄和B₂H₆中的几种组合构成。

6.根据权利要求5所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述本征非晶硅层或N型掺杂非晶硅层的沉积厚度为100-200埃；所述P型掺杂非晶硅层为含氧型微晶μc-SiOx:H或者非晶态的碳化硅a-SiC；含氧型微晶μc-SiOx:H的成膜速度控制在0.2-1.5埃/秒，在制绒面上的厚度为40-200埃。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：在制绒前的半导体基板表面高温沉积磷硅玻璃层，并进行退火处理。

8.根据权利要求7所述的采用钝化前氢处理技术的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述步骤B高温沉积PSG中高温沉积磷硅玻璃层的具体方法为，采用三氯氧磷扩散法进行高温沉积磷硅玻璃层；扩散温度为800℃-1100℃，扩散压力为50mbar-300mbar，扩散时间为5min-30min，在高温扩散过程中通入POCL₃、O₂、N₂，POCL₃气体流量为50sccm-500sccm，O₂气体流量为200sccm-2000sccm，N₂气体流量为500sccm-5000sccm。