[发明专利]一种显示基板、高精度金属掩模板组及显示装置在审
申请号: | 202111128711.3 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN113851513A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 肖磊芳;嵇凤丽;杜森 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 高精度 金属 模板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示基板、高精度金属掩模板组及显示装置,所述显示基板包括:在第一方向和第二方向上均交替排列的多个第一像素和多个第二像素,其中,每个所述第一像素包括一个第一子像素和一个第二子像素,每个所述第二像素包括一个第三子像素和一个所述第二子像素,所述第二子像素呈矩阵式均匀分布,所述第一子像素和所述第三子像素均为多边形,在第一方向和第二方向上均交替排布,对于在第一方向上相邻的一个第一子像素和一个第三子像素,第一子像素的最靠近第三子像素的顶点与第三子像素最靠近第一子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交。
相关申请的交叉引用
本申请是在2018年1月2日提交中国专利局、申请号为20180002775.0的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示基板、高精度金属掩模板组及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器已经开始取代传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)。
发明内容
本发明一实施例提供一种显示基板,包括:在第一方向和第二方向上均交替排列的多个第一像素和多个第二像素,其中,每个所述第一像素包括一个第一子像素和一个第二子像素,每个所述第二像素包括一个第三子像素和一个所述第二子像素,所述第二子像素呈矩阵式均匀分布,所述第一子像素和所述第三子像素均为多边形,在第一方向和第二方向上均交替排布,对于在第一方向上相邻的一个第一子像素和一个第三子像素,第一子像素的最靠近第三子像素的顶点与第三子像素最靠近第一子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交。
在一些实施例中,对于在第二方向上相邻的一个第一子像素和一个第三子像素,第一子像素的最靠近第三子像素的顶点与第三子像素最靠近第一子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交;或,对于在第二方向上相邻的一个第一子像素和一个第三子像素,第一子像素的最靠近第三子像素的顶点与第三子像素最靠近第一子像素的顶点的连线与第二方向上的沿延伸线平行。
在一些实施例中,所述第二子像素的形状为多边形,对于在第二方向上两个相邻的第二子像素,一个第二子像素的最靠近另一个第二子像素的顶点与另一个第二子像素的最靠近所述一个第二子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交。
在一些实施例中,对于在第一方向上两个相邻的第二子像素,一个第二子像素的最靠近另一个第二子像素的顶点与另一个第二子像素的最靠近所述一个第二子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交;或,对于在第一方向上两个相邻的第二子像素,一个第二子像素的最靠近另一个第二子像素的顶点与另一个子像素的最靠近所述一个第二子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交。
在一些实施例中,对于在第一方向上两个相邻的第一子像素,一个第一子像素的最靠近另一个第一子像素的顶点与另一个第一子像素的最靠近所述一个第一子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交;对于在第二方向上两个相邻的第一子像素,一个第一子像素的最靠近另一个第一子像素的顶点与另一个第一子像素的最靠近所述一个第一子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交;对于在第一方向上两个相邻的第三子像素,一个第三子像素的最靠近另一个第三子像素的顶点与另一个第三子像素的最靠近所述一个第三子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交;对于在第二方向上两个相邻的第三子像素,一个第三子像素的最靠近另一个第三子像素的顶点与另一个第三子像素的最靠近所述一个第三子像素的顶点的连线与第一方向和第二方向上的延伸线均相交。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的