[发明专利]半导体清洗设备和清洁卡盘的方法

说明书

本申请公开一种半导体清洗设备和清洁卡盘的方法，半导体清洗设备包括工艺腔室和设置在工艺腔室内的卡盘，所述半导体清洗设备还包括抽吸机构，所述抽吸机构包括抽吸管路，所述抽吸管路配置为与抽气设备连通，所述抽吸管路的一部分可移动地安装在所述工艺腔室内，且所述抽吸管路的抽吸口可移动至所述卡盘的上方，以通过所述抽吸机构抽吸所述卡盘上的杂质。上述技术方案公开的半导体清洗设备基本能够解决目前卡盘上附着的污染物可能会粘附到晶圆的表面，从而污染晶圆，对晶圆的良品率产生较大不利影响的问题。

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体清洗设备和清洁卡盘的方法。

背景技术

随着技术的进步，后道铜互连技术已经广泛地应用在芯片制造工艺中，由于铜在硅和二氧化硅层中迁移速率相对较快，进而，如果晶圆表面的铜原子的浓度较高，会向晶圆的内部扩散，产生铜污染，因而，在晶圆的加工过程中，需要对其背面进行清洗，以降低铜离子的浓度。

目前，通常借助清洗机对晶圆的背面进行清洗，对于需要清洗晶圆正面的工艺，只需将晶圆支撑在卡盘上，之后借助清洗药液对晶圆的正面进行清洗即可。但是，对于需要清洗晶圆背面的工艺而言，则需要将已翻转的晶圆(即此时晶圆正面朝向卡盘)借助卡盘上的出气孔吹出气体，在伯努利原理的作用下，使晶圆被吸附向卡盘，同时利用夹持机构将晶圆定位在预设区域内，以防止晶圆与卡盘接触而污染晶圆的正面。

但是，随着晶圆表面清洗工作的不断进行，清洗药液中的溶质可能会发生结晶的情况，从而落在卡盘的表面，从而使卡盘的表面和卡盘的出气孔的孔壁内附着有污染物，在这种情况下，当对晶圆的背面进行清洗时，卡盘上的污染物可能会随气流一并吹送至晶圆的正面，从而污染晶圆，对晶圆的良品率产生较大的不利影响。

发明内容

本申请公开一种半导体清洗设备和清洁卡盘的方法，基本能够解决目前卡盘上附着的污染物可能会粘附到晶圆的表面，从而污染晶圆，对晶圆的良品率产生较大不利影响的问题。

为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体清洗设备，其包括工艺腔室和设置在工艺腔室内的卡盘，所述半导体清洗设备还包括抽吸机构，所述抽吸机构包括抽吸管路，所述抽吸管路配置为与抽气设备连通，所述抽吸管路的一部分可移动地安装在所述工艺腔室内，且所述抽吸管路的抽吸口可移动至所述卡盘的上方，以通过所述抽吸机构抽吸所述卡盘上的杂质。

第二方面，本申请实施例提供了一种采用上述半导体清洗设备清洁卡盘的方法，所述方法包括：

在所述卡盘上承载有晶圆的情况下，控制所述抽吸管路位于所述卡盘上方的区域之外；

在所述卡盘上未承载晶圆的情况下，控制所述抽吸管路的抽吸口位于所述卡盘的上方，保持所述抽吸机构工作。

本申请实施例提供一种半导体清洗设备和清洁卡盘的方法，半导体清洗设备包括工艺腔室和设置在工艺腔室内的卡盘，以及抽吸机构，抽吸机构的抽吸管路配置为与抽气设备连通，且抽吸管路可移动地安装在工艺腔室，且使抽吸管路能够移动至卡盘的上方，进而在卡盘上未支撑有晶圆的情况下，借助抽吸机构抽吸卡盘上的杂质，从而防止卡盘上附着的污染物可能会粘附至晶圆的表面，防止晶圆被污染，提升晶圆的良品率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请实施例公开的半导体清洗设备的结构示意图；

图2是本申请实施例公开的半导体清洗设备中部分结构的内部示意图；

图3是本申请实施例公开的清洁卡盘的方法的流程图。

附图标记说明：