[发明专利]测试结构、测试系统以及测试方法在审
| 申请号: | 202111125953.7 | 申请日: | 2021-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113851456A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
| 发明(设计)人: | 彭慧耀;林淑寒;潘剑华;洪佳程 | 申请(专利权)人: | 厦门优迅高速芯片有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测试 结构 系统 以及 方法 | ||
1.一种测试结构,其特征在于,设置在晶圆上,所述测试结构位于晶圆的第一区域内,所述测试结构包括:
第一导电线路,包括设置在第一高度区域的第一接触插塞,所述第一接触插塞包括第一通孔,以及设置在所述第一通孔内的导电材料;
第二导电线路,包括设置在第二高度区域的第二接触插塞,所述第二接触插塞包括第二通孔,以及设置在所述第二通孔内的导电材料;
所述第一高度区域和第二高度区域沿垂直所述晶圆表面的方向邻接分布,且所述第一接触插塞和第二接触插塞在所述晶圆表面的投影的距离为预设阈值。
2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一导电线路还至少包括设置在所述第一高度区域内的第一图形化金属层和第二图形化金属层,所述第一接触插塞中的导电材料至少电连接所述第一图形化金属层和第二图形化金属层;
所述第二导电线路还至少包括设置在所述第二高度区域内的第三图形化金属层,所述第二接触插塞中的导电材料至少电连接所述第三图形化金属层。
3.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第一区域包括所述晶圆的划片槽;
所述晶圆用于制备半导体结构,所述半导体结构包括在垂直所述晶圆表面的高度上邻接设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,所述第一金属层、第二金属层间形成有连接所述第一金属层和第二金属层的第一原插塞,第三金属层中形成有电连接所述第三金属层的第二原插塞;
所述第一图形化金属层、第二图形化金属层以及第三图形化金属层均由所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层图形化形成,所述第一接触插塞为制备所述第一原插塞时形成,所述第二接触插塞为制备所述第二原插塞时形成。
4.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一导电线路包括第一主要线路以及第一分支线路,所述第一主要线路折叠弯曲设置,所述第一分支线路沿所述第一主要线路设置,与所述第一主要线路连接,且所述第一分支线路在所述晶圆表面的投影朝向所述第二导电线路设置;
所述第一分支线路的数目为多个,且各个所述第一分支线路均设置有所述第一接触插塞,所述第一主要线路上均匀分布有多个所述第一接触插塞。
5.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第二导电线路包括第二主要线路以及第二分支线路,所述第二主要线路在所述晶圆表面的投影环绕所述第一导电线路在所述晶圆表面的投影,所述第二分支线路与所述第二主要线路相交,且所述第二分支线路在所述晶圆表面的投影的延伸方向朝向所述第一导电线路在所述晶圆表面的投影;
所述第二分支线路的数目为多个,且各个所述第二分支线路均设置有所述第二接触插塞,所述第二主要线路上均匀分布有多个所述第二接触插塞。
6.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,还包括至少两个第一连接引脚,设置在所述第一导电线路上,且两个所述第一连接引脚之间的第一导电线路为直连线路;
还包括至少一个第二连接引脚,设置在所述第二导电线路上。
7.一种测试系统,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的测试结构,以及:
检测模块,包括两个连接端,所述两个连接端均连接到所述第一导电线路,以获取所述第一导电线路的电学参数,和/或,一个连接端连接到所述第一导电线路,一个连接端连接到所述第二导电线路,以获取所述第一导电线路和第二导电线路之间的电学参数。
8.根据权利要求7所述的测试系统,其特征在于,所述检测模块包括电阻计;所述第一导电线路上设置有至少两个第一连接引脚,两个所述第一连接引脚间的第一导电线路为直连线路;
所述第二导电线路上设置有至少一个第二连接引脚;
所述检测模块一端连接至所述第一连接引脚之一,另一端连接至所述第一连接引脚之另一,或连接至所述第二连接引脚。
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