[发明专利]制备三维存储器的方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其中，所述方法包括：

在晶圆的第一表面上形成栅极堆叠结构、以及覆盖所述栅极堆叠结构的绝缘材料层，其中，所述栅极堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极层，并且被划分成台阶区和核心区，所述栅极堆叠结构的核心区中贯穿有沟道结构；

在所述绝缘材料层上形成第一应力补偿层；以及

贯穿所述第一应力补偿层和所述绝缘材料层形成电连接到所述沟道结构或所述栅极层的多个连接柱，

其中，所述第一应力补偿层由具有高压缩应力的材料形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一应力补偿层由氮化硅形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个连接柱包括：

形成暴露所述栅极层的至少一部分的栅极接触孔；

形成暴露所述沟道结构的至少一部分的沟道接触孔；以及

利用导电材料填充所述栅极接触孔和所述沟道接触孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述栅极接触孔包括：

图案化所述第一应力补偿层，以在所述第一应力补偿层的、与待形成所述栅极接触孔的位置对应的位置处开口；以及

利用经图案化的第一应力补偿层作为硬掩膜层，将所述绝缘材料层图案化。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述沟道接触孔包括：

图案化所述第一应力补偿层，以在所述第一应力补偿层的、与待形成所述沟道接触孔的位置对应的位置处开口；以及

利用经图案化的第一应力补偿层作为硬掩膜层，将所述绝缘材料层图案化。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述晶圆的与所述第一表面相对的第二表面上形成第二应力补偿层，

其中，所述第二应力补偿层由具有高拉伸应力的材料形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一应力补偿层的厚度在至的范围内；以及

所述第二应力补偿层的厚度在至的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一应力补偿层的一侧上键合外围电路晶圆；以及

去除所述晶圆以暴露所述沟道结构。

9.三维存储器，包括：

栅极堆叠结构，包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层并且被划分成核心区和台阶区；

沟道结构，在所述核心区中贯穿所述栅极堆叠结构；

第一应力补偿层，设置在所述栅极堆叠结构上，并且具有多个开口；以及

多个连接柱，经由所述多个开口电连接至所述栅极层中的每个的在所述台阶区中的部分或所述沟道结构，

其中，所述第一应力补偿层包括具有高压缩应力的材料。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，还包括：外围电路，键合在第一应力补偿层上。

11.根据权利要求9所述的三维存储器，其中，所述第一应力补偿层包括氮化硅。

12.根据权利要求11所述的三维存储器，其中，所述第一应力补偿层的厚度在至的范围内。