[发明专利]一种覆铜陶瓷基板专用铜片加工的方法在审
| 申请号: | 202111118796.7 | 申请日: | 2021-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113832469A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 李炎;贺贤汉;陆玉龙;蔡俊;董明锋;马敬伟 | 申请(专利权)人: | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23G1/10 | 分类号: | C23G1/10;B08B3/12;C23C22/63;C23C22/78 |
| 代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 张强 |
| 地址: | 224200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 专用 铜片 加工 方法 | ||
本发明提供了一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,包括如下步骤:酸性除油,然后微蚀胶涂敷于铜片表面,光照固化,5‑10min后揭去铜片表面胶块,酸洗;将铜片水平浸入去离子水超声波清洗,热风烘干;将干燥后的铜片垂直浸入去离子水中超声波清洗,然后进行兆声波清洗,热风烘干;对铜片使用高压雾化喷涂机将碱法氧化药液均匀的喷涂至铜片表面,控制温度和膜厚,铜片氧化膜达到预定膜厚后,冷风去除铜片表面液体,抽滤得到产品,本发明采用微蚀胶对铜片粗化处理,铜片表面粗化均匀,采用水平和垂直两个方向上的超声波清洗,之后又进行兆声波清洗,清洗效果好,后续的氧化反应均匀性高,最终氧化良率高。
技术领域
本发明涉及铜片技术领域,具体涉及一种覆铜陶瓷基板专用铜片加工的方法。
背景技术
DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面单面或双面上的特殊工艺方法,其中铜瓷之间的浸润是通过氧化后铜片和陶瓷之间在高温条件下形成铜氧共晶液而实现的。
该领域通用的铜片处理方法为铜片裁切后除油、粗化、酸洗、超声波清洗和铜片插架氧化,目前超声波清洗铜片工艺都为水平线超声波清洗,水平线滚轮在一定程度上会削弱超声清洗效果,这使得氧化前铜片表面样貌和清洁度难以保证,微量油脂、颗粒、表面结构、微孔道异物等制约了后续铜片氧化品质。
同时通用的铜片氧化分为热氧化和化学氧化两种:
一、其中热氧化即在隧道式氧化炉内通过高温通氧的方式来实现铜片表面的氧化,该方法铜面均匀性较好,氧含量容易控制,工艺较成熟,但受制于氧化炉带速限制,整体效率不高,且炉内温度较高,能耗相对较大,因此成本高;
二、化学氧化即通过特定化学试剂在一定的反应条件下来实现铜片表面的氧化,该方法生产效率较高,热循环性能和抗弯性能好,但氧化后铜面会有残留粉状颗粒,该粉末易脱落,进而造成烧结后表面不均。
鉴于此,人们需要一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,以解决现有技术中的问题。
一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,包括如下步骤:
S1:使用酸性除油剂去除铜片表面油脂,对铜片表面进行粗化处理,使用酸性溶剂去除铜片表面氧化层;
S2:将铜片水平浸入去离子水5-10min,将铜片缓慢拉离水面, 90-120℃下烘干;
S3:将干燥后的铜片垂直浸入离子水35-45℃下超声波清洗 3-6min,25-35℃下超声波清洗10-20min,将铜片缓慢拉离水面, 90-120℃下烘干;
S4:对铜片使用碱法氧化药液进行氧化,除杂,烘干得到产品。
经过多次实验证实,上述水平线超声波清洗后的铜片如果直接进入化学氧化阶段,会导致粗化后铜片表面残留异物未被完全去除,因为水平线滚轮在一定程度上会削弱超声清洗效果,最终会影响氧化反应均匀性,导致氧化良率低,因此本发明在铜片水平清洗后特追加了两段垂直超声波清洗工艺,垂直超声波清洗自带溢流效果,清洗效果好。
优选的,所述碱法氧化药液按浓度百分比包括如下组分:NaClO2 20-40%、NaOH10-20%、水40-70%。
优选的,所述超声波清洗的超声波频率为30-50kHz,所述酸性除油剂为浓度为10-20%的双氧水,所述酸性溶剂为浓度为3-5%的硫酸溶液。
优选的,所述粗化处理的操作是将铜片浸入微蚀药水,浸泡 15-26S。
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