[发明专利]MOM电容器及集成电路装置

说明书

本发明提供了一种MOM电容器及集成电路装置，通过在MOM电容器中堆叠的多层电容单元的整体上方和/或下方设置呈梳状结构的虚拟电极，以降低MOM电容器与其周围的信号线路之间的寄生电容，并抑制噪声，进而提高器件性能，同时还能避免铜制程等中的最低密度违规问题以及CMP制程中的碟陷等问题。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种MOM电容器及集成电路装置。

背景技术

如今，堆叠指状MOM（Metal-Oxide-Meta，金属-氧化物-金属）电容器被广泛用于大规模集成电路中，例如应用在集成电路的采样保持模块、模数转换器、滤波器以及射频通信模块等中。这些应用中均需要MOM电容器件的设计满足以下两个要求：（1）尽可能地改善单位电容的匹配精度，该匹配精度会直接影响整个模块的线性度、速度、面积、功耗等因素；（2）尽可能地抑制MOM电容器和与其接近的信号线之间的耦合电容所引入的噪声，因为该噪声会影响集成电路器件的性能。

因此，如何设计MOM电容器，以在大大提高单位电容的匹配精度的同时，尽可能地抑制MOM电容器和与其接近的信号线之间的耦合电容所引入的噪声，成为本领域技术人员的研究热点之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MOM电容器及集成电路装置，能够大大提高单位电容的匹配精度，并尽可能地抑制MOM电容器和与其接近的信号线之间的耦合电容所引入的噪声，以提高器件性能。

为了实现上述目的，本发明提供一种MOM电容器，其具有在衬底上层叠设置多层电容单元，所述MOM电容器还包括设置在所述多层电容单元与所述衬底之间的第一虚拟电极和/或设置在所述多层电容单元上方的第二虚拟电极，所述第一虚拟电极和所述第二虚拟电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构，所述第一虚拟电极通过第一绝缘层与衬底绝缘隔离并通过最底层的第二绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离。

可选地，每层所述电容单元均具有第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层中的第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构，第一电极和第二电极的指状电极相互交叉并以预设间距并排设置。

可选地，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行或者相交。

可选地，当所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行时，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极分别与所述第一电极的指状电极对准。

可选地，当所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行时，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极分别与一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间隔对准。

可选地，当所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向相交时，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极分别与任意一层电容单元中所述第一电极和第二电极的所有指状电极均异面垂直。

可选地，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的间距为一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间距的n倍，n为大于等于1的自然数。

可选地，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度等于或大于所述第一电极的指状电极的电极宽度。

可选地，所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度大于等于所述第一电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和，且小于等于所述第一电极的宽度、所述第二电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和。