[发明专利]MOM电容器及集成电路装置有效
| 申请号: | 202111118330.7 | 申请日: | 2021-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN113571637B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
| 发明(设计)人: | 熊谷裕弘 | 申请(专利权)人: | 晶芯成(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mom 电容器 集成电路 装置 | ||
1.一种MOM电容器,其具有在衬底上层叠设置多层电容单元,其特征在于,所述MOM电容器还包括设置在所述多层电容单元与所述衬底之间的第一虚拟电极和设置在所述多层电容单元上方的第二虚拟电极,所述第一虚拟电极和所述第二虚拟电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构,所述衬底的表面上依次层叠有第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一虚拟电极形成在所述第一绝缘层中且未贯穿所述第一绝缘层,以通过第一绝缘层与衬底绝缘隔离,所述第一虚拟电极还通过最底层的第二绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离;所述的MOM电容器还包括层叠在所述多层电容单元上方的第三绝缘层,所述第二虚拟电极形成在所述第三绝缘层中且未贯穿所述第三绝缘层,以通过所述第三绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离,所述第二虚拟电极还通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层与所述衬底绝缘隔离;其中,所述第一虚拟电极的指状电极和所述第二虚拟电极的指状电极正交。
2.如权利要求1所述的MOM电容器,其特征在于,每层所述电容单元均具有第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层中的第一电极和第二电极,且第一电极和第二电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构,第一电极和第二电极的指状电极相互交叉并以预设间距并排设置。
3.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行或者相交。
4.如权利要求3所述的MOM电容器,其特征在于,当所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行时,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与所述第一电极的指状电极对准,或者,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间隔对准。
5.如权利要求3所述的MOM电容器,其特征在于,当所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向相交时,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与任意一层电容单元中所述第一电极和第二电极的所有指状电极均异面垂直。
6.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的间距为一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间距的n倍,n为大于等于1的自然数。
7.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度等于或大于所述第一电极的指状电极的电极宽度。
8.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度大于等于所述第一电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和,且小于等于所述第一电极的宽度、所述第二电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和。
9.一种集成电路装置,其特征在于,包括权利要求1-8中任一项所述的MOM电容器。
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