[发明专利]用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺有效
申请号: | 202111117989.0 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113909807B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 王志君 | 申请(专利权)人: | 王志君 |
主分类号: | B23P15/00 | 分类号: | B23P15/00;F15B15/00;F15B15/20 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 胡大成 |
地址: | 100035*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 桥梁 建筑 环形 液压缸 生产工艺 | ||
本申请公开一种用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺,用以解决桥梁及建筑领域的环形液压缸的生产问题。其中,一种用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺,包括:根据目标施工环境要使用环形液压缸的承压参数,选取并加工钢材料,得到符合预设尺寸的用于环形缸体的缸体内壁的第一环形立板、用于环形缸体的缸体外壁的第二环形立板、用于环形缸体的缸体底部的第一底板、用于环形活塞的活塞内壁的第三环形立板、用于环形活塞的活塞外壁的第四环形立板、用于环形活塞的活塞底部的第二底板及用于加固第三环形立板、第四环形立板与第二底板之间结构的筋板;分别焊接、热处理及机加工,得到环形液压缸。生产步骤及操作简单,有效降低生产成本。
技术领域
本申请涉及桥梁及建筑施工设备的制造技术领域,尤其涉及用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺。
背景技术
在桥梁及建筑的独立柱施工过程中,需检测柱子位移是否合格,此时在独立柱周边放置多个液压装置,每一个点都通过打压和柱子相互作用,每一个点上都设置有传感器进行数据测量。对此发明了一种环形液压缸用以解决上述问题。
在实现现有技术的过程中,发明人发现:
由于环形液压缸使用在桥梁及建筑施工领域,采用传统的生产方法无法保证环形液压缸的抗压等级达到设计标准,同时生产成本比较高。
因此,需要提供一种用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺,用以解决生产成本高及达不到抗压等级的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺,用以解决生产成本高及达不到抗压等级的技术问题。
具体的,一种用于顶升桥梁及建筑的环形液压缸的生产工艺,包括以下具体步骤:
根据目标施工环境中要使用环形液压缸的承压参数,确定环形液压缸的环形缸体和环形活塞的成品参数;
根据所述成品参数,选取并加工钢材料,得到符合预设尺寸的用于所述环形缸体的缸体内壁的第一环形立板、用于所述环形缸体的缸体外壁的第二环形立板、用于所述环形缸体的缸体底部的第一底板、用于所述环形活塞的活塞内壁的第三环形立板、用于所述环形活塞的活塞外壁的第四环形立板、用于所述环形活塞的活塞底部的第二底板及用于加固所述第三环形立板、第四环形立板与第二底板之间结构的筋板;
分别焊接所述第一环形立板、第二环形立板、第三环形立板、第四环形立板、第一底板、第二底板及筋板,得到毛坯环形缸体和毛坯环形活塞;
根据所述成品参数,热处理所述毛坯环形缸体和毛坯环形活塞,得到半成品环形缸体和半成品环形活塞;
根据所述成品参数,机加工所述半成品环形缸体和所述半成品环形活塞,得到环形液压缸。
进一步的,根据目标施工环境中要使用环形液压缸的承压参数,确定环形液压缸的环形缸体和环形活塞的成品参数,包括以下具体步骤:
根据目标施工环境中要使用环形液压缸的承压参数,计算环形液压缸的支撑直径、活塞行程及极限压强;
根据所述支撑直径、活塞行程及极限压强,计算环形液压缸的尺寸,并分析采用的材质;
根据所述尺寸和材质,确定环形液压缸的环形缸体和环形活塞的成品参数。
进一步的,根据所述成品参数,选取并加工钢材料,得到符合预设尺寸的用于所述环形缸体的缸体内壁的第一环形立板、用于所述环形缸体的缸体外壁的第二环形立板、用于所述环形缸体的缸体底部的第一底板、用于所述环形活塞的活塞内壁的第三环形立板、用于所述环形活塞的活塞外壁的第四环形立板、用于所述环形活塞的活塞底部的第二底板及用于加固所述第三环形立板、第四环形立板与第二底板之间结构的筋板,包括以下具体步骤:
根据所述成品参数,选取底板钢材料、立板钢材料及筋板钢材料,并确定加工参数;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王志君,未经王志君许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111117989.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成衣系统出站摆头装置
- 下一篇:LDMOS器件结构及其制造方法