[发明专利]一种红外反射传感器识别DUT放平校准的方法及装置在审
| 申请号: | 202111115930.8 | 申请日: | 2021-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN113834469A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 陈启恩;袁承范;陈焱国;孙德滔;韩雪涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市微特精密科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01C9/00 | 分类号: | G01C9/00 |
| 代理公司: | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人: | 杨兰兰 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 红外 反射 传感器 识别 dut 校准 方法 装置 | ||
1.一种红外反射传感器识别DUT放平校准方法,其特征在于,所述方法包括:
在红外反射传感器Q1的有效距离d处,分别采集不放置DUT和放置DUT时红外反射传感器Q1的输出电压ADC1、ADC2,将[ADC2,ADC1]作为初始电压识别上下限存储到MCU中;
根据初始电压识别上下限[ADC2,ADC1]确定期望的电压识别范围Uo;
根据期望的电压识别范围Uo校正并更新MCU中的电压识别上下限为[ADC2-Uo,ADC2+Uo];
根据校正后的电压识别上下限[ADC2-Uo,ADC2+Uo]进行DUT放平识别检测。
2.根据权利要求1所述的一种红外反射传感器识别DUT放平校准方法,其特征在于,所述根据初始电压识别上下限[ADC2,ADC1]确定期望的电压识别范围Uo,具体包括:
设置一个比例因子Ra,Ra的取值范围为[0%,100%];
取所述ADC1和ADC2的差值,记为Ud=ADC1-ADC2;
计算出期望的电压识别范围Uo=Ud*Ra。
3.根据权利要求2所述的一种红外反射传感器识别DUT放平校准方法,其特征在于,所述根据期望的电压识别范围Uo校正并更新MCU中的电压识别上下限为[ADC2-Uo,ADC2+Uo],具体包括:
以放上DUT时检测的电压值ADC2为基准,按照期望的识别电压范围Uo计算出新的电压识别上限为ADC2+Uo,计算出新的电压识别下限为ADC2-Uo;
更新并存储MCU中的电压识别上下限为[ADC2-Uo,ADC2+Uo]。
4.根据权利要求3所述的一种红外反射传感器识别DUT放平校准方法,其特征在于,所述根据校正后的电压识别上下限[ADC2-Uo,ADC2+Uo]进行DUT放平识别检测,具体包括:
在红外反射传感器Q1的有效距离d处放置DUT,通过MCU采集红外反射传感器Q1的输出电压;
若MCU检测到红外反射传感器Q1的输出电压在MCU的电压识别上下限[ADC2-Uo,ADC2+Uo]范围内,则DUT已放平;
若MCU检测到红外反射传感器Q1的输出电压不在MCU的电压识别上下限[ADC2-Uo,ADC2+Uo]范围内,则DUT没有放平;
输出上述DUT放平识别检测结果。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种红外反射传感器识别DUT放平校准方法,其特征在于,所述根据校正后的电压识别上下限[ADC2-Uo,ADC2+Uo]进行DUT放平识别检测,还包括采用2个或2个以上的红外反射传感器Q1分别放置在待测物DUT的对角位置进行检测,所述红外反射传感器Q1与DUT的板边距离为d,d为红外反射传感器Q1的有效识别距离。
6.一种红外反射传感器识别DUT放平校准的装置,其特征在于,包括若干个红外反射传感器识别装置,所述红外反射传感器识别装置包括红外反射传感器Q1、电压采集模块、电压校正模块和DUT放平识别模块;
所述红外反射传感器Q1用于发射和接收红外光;
所述电压采集模块用于采集红外红外反射传感器Q1的初始电压识别上下限[ADC2,ADC1]和输出电压;
所述电压校正模块用于校正并更新初始电压识别上下限,所述电压校正模块包括电压期望范围识别模块和电压上下限更新模块;所述电压期望范围识别模块根据初始电压识别上下限[ADC2,ADC1]确定期望的电压识别范围Uo;所述电压上下限更新模块根据期望的电压识别范围Uo校正并更新电压识别上限为[ADC2-Uo,ADC2+Uo],并把[ADC2-Uo,ADC2+Uo]传输到DUT放平识别模块中;
所述DUT放平识别模块用于检测识别DUT是否放平,并输出检测识别结果。
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