[发明专利]用于处理基板的装置

说明书

本发明涉及一种用于处理基板的装置，该装置包括处理基板的工艺腔室、容纳待传输至工艺腔室中的环状构件的缓冲模块、以及具有内部空间的装载锁定腔室。缓冲模块包括缓冲腔室，缓冲腔室具有缓冲空间，环状构件容纳在该缓冲空间中；支承架；该支承架支承缓冲空间中的环状构件；以及移动支承架的驱动构件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年09月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0123002的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。

背景技术

等离子体是指含有离子、基团以及电子的物质的离子化气体状态。通过将中性气体加热至非常高的温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场来产生等离子体。半导体元件制造工艺可以包括使用等离子体除去基板(诸如，晶圆)上的薄膜的蚀刻工艺。蚀刻工艺是通过等离子体中包含的离子和/或基团与基板上的薄膜碰撞或反应来执行的。

使用等离子体处理基板的装置包括真空气氛下的工艺腔室、在工艺腔室中支承基板的支承卡盘、以及围绕位于支承卡盘上的基板的聚焦环。聚焦环被安装以将等离子体均匀分布在基板的表面上，并且通过等离子与基板一起被蚀刻。当在基板上重复执行蚀刻工艺时，聚焦环也一起被蚀刻使得聚焦环的形状逐渐改变。由于聚焦环形状的改变，离子和/或基团入射至基板上的方向发生了改变，从而改变基板的蚀刻特性。因此，当在预定数量或更多的基板上执行蚀刻工艺时，或者当聚焦环变形而偏离允许范围时，需要更换聚焦环。

图1为示出了在常规的基板处理装置中传输聚焦环的传输顺序的视图。参照图1，常规的基板处理装置10包括：装载端口11，载体位于该装载端口11上，该载体具有容纳在其中的基板(例如，晶圆)或聚焦环；大气压力腔室13，该大气压力腔室13的内部保持在大气压力气氛中；第一传输机械手14，该第一传输机械手14设置在大气压力腔室13中并且将位于装载端口11上的载体中的基板或聚焦环传输至装载锁定腔室15；装载锁定腔室15，该装载锁定腔室15的内侧在大气压力气氛与真空气氛之间切换；真空腔室16，该真空腔室16的内侧保持在真空气氛中；以及第二传输机械手17，该第二机械手17设置在真空腔室16中并且将基板或聚焦环从装载锁定腔室15传输至处理基板的工艺腔室18。

如图1所示，将聚焦环装载至工艺腔室18中的传输顺序包括：第一步骤，该第一步骤将位于装载端口11上的载体中容纳的聚焦环卸载至大气压腔室13；第二步骤，该第二步骤将卸载至大气压力腔室13的聚焦环装载至装载锁定腔室15中；第三步骤，该第三步骤将装载至装载锁定腔室15中的聚焦环卸载至真空腔室16；以及第四步骤，该第四步骤将卸载至真空腔室16的聚焦环装载至工艺腔室18中。将聚焦环从工艺腔室18卸载的传输顺序以四个步骤的相反顺序执行。也就是说，常规的聚焦环的更换顺序是非常复杂的。由于这样，更换聚焦环所花费的时间可能会增加，这可能导致每小时可以处理的基板数量减少。此外，由于通过多个步骤更换聚焦环，因此传输聚焦环的精度可能会降低。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于增加每小时可以处理的基板的数量。

此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于改善传输环状构件的精度。

此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于简化环状构件的传输顺序。

本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。