[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种用于制造异质结太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：

(a).通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒及清洗；

(b).通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反两面上分别形成第一本征非晶硅层以及第二本征非晶硅层；

(c).通过第一N型PECVD工艺在所述第一本征非晶硅层上形成第一N型非晶微晶混合层；

(d).通过第二N型PECVD工艺在所述第一N型非晶微晶混合层上形成第二N型非晶微晶混合层；

(e).通过第三N型PECVD工艺在所述第二N型非晶微晶混合层上形成第三N型非晶微晶混合层；

(f).通过P型PECVD工艺在所述第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；

(g).通过反应等离子沉积工艺或者物理气相沉积工艺在所述第三N型非晶微晶混合层以及所述P型非晶硅层上分别形成第一透明导电膜以及第二透明导电膜；以及

(h).通过丝网印刷工艺在所述第一透明导电膜以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极；

其中所述第一N型PECVD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、氢气流量、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm以及50～1000W，所述第二N型PECVD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，所述第三N型PECVD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、氢气流量、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，其中所述第三N型PECVD工艺中磷化氢流量与硅烷流量之比为所述第二N型PECVD工艺中磷化氢流量与硅烷流量之比的2～2.5倍。

2.如权利要求1所述的用于制造异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述第一N型非晶微晶混合层的厚度为1～5nm，其中微晶硅所占比率为0～30％。

3.如权利要求1所述的用于制造异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述第二N型非晶微晶混合层的厚度为3～20nm，其中微晶硅所占比率为40～60％。

4.如权利要求1所述的用于制造异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述第三N型非晶微晶混合层的厚度为1～10nm，折射率为2.7～2.8，其中微晶硅所占比率为50～80％。

5.如权利要求1所述的用于制造异质结太阳能电池的方法，其特征在于，所述第一N型PECVD工艺中用于将反应气体激发成等离子体的射频电源的射频频率包括13.56MHz或40.68MHz，还包括2MHz，所述第二N型PECVD工艺以及所述第三N型PECVD工艺中射频电源的射频频率均为13.56MHz或40.68MHz。

6.一种异质结太阳能电池，其包括具有第一表面和第二表面的N型单晶硅片，所述异质结太阳能电池还包括依次层叠在所述第一表面上的第一本征非晶硅层、第一N型非晶微晶混合层、第二N型非晶微晶混合层、第三N型非晶微晶混合层、第一透明导电膜以及第一电极，还包括依次层叠上所述第二表面上的第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜以及第二电极；其中所述第一N型非晶微晶混合层、第二N型非晶微晶混合层以及第三N型非晶微晶混合层分别通过权利要求1中所述第一N型PECVD工艺、所述第二N型PECVD工艺以及所述第三N型PECVD工艺沉积形成。

7.如权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型非晶微晶混合层的厚度为1～5nm，其中微晶硅所占比率为0～30％。