[发明专利]紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法及装置

说明书

本发明提供了一种紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法及装置，其中方法包括：确定反射面的类型；根据确定的该类型，确定馈源相位中心未偏焦时，该馈源发射的电磁波所对应未偏焦路径的第一绝对相位；根据确定的该类型，确定馈源相位中心偏焦时，该馈源发射的电磁波所对应偏焦路径的第二绝对相位；将所述第一绝对相位与所述第二绝对相位的差值，确定为紧缩场馈源偏焦量化值。本方案，能够快速得到紧缩场馈源偏焦量化值，提高了计算时效性。

技术领域

本发明实施例涉及电磁测量技术领域，特别涉及一种紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法及装置。

背景技术

紧缩场技术作为模拟远场测试的重要手段，近些年正受到越来越广泛的关注。常用的紧缩场系统搭建于内壁贴覆吸波材料的屏蔽暗室内，通过初级馈源和反射面的共同作用，在暗室的特定区域内形成准平面波照射的测试区域(静区)，待测目标即放置于该区域内。由于紧缩场的工作前提是初级馈源相位中心位于反射面的焦点位置，一旦其相位中心与焦点发生偏离(即馈源偏焦)，则静区性能会受到严重干扰，导致静区内相位测试结果严重失真。

对于初级馈源相位中心的控制主要集中在两方面，一方面是初级馈源仿真设计过程中对相位中心的控制，另一方面是初级馈源实物在安装调试过程中对相位中心的控制，二者缺一不可。为了能够在这两方面下对相位中心进行控制，需要确定紧缩场馈源偏焦的量化值进行确定。

目前，一般采用软件仿真方式对量化值进行确定，在利用软件仿真过程中，需要构建反射面模型，以及代入馈源数据的模型，从而建立起仿真场景，针对仿真场景进行仿真算法的设置，以仿真得到紧缩场馈源偏焦的量化值。

然而在现有技术中，当反射面发生变化时或者电磁波的工作频率发生变化时，需要重新构建反射面模型，计算量较大；且当反射面的尺寸较大、复杂度较高，或者电磁波工作频率较高时，都会增大计算量。在计算量较大时，计算时效性则较差。

因此，需要提供一种计算时效性较高的紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法及装置，能够提高计算时效性。

第一方面，本发明实施例提供了一种紧缩场馈源偏焦量化值的确定方法，包括：

确定反射面的类型；

根据确定的该类型，确定馈源相位中心未偏焦时，该馈源发射的电磁波所对应未偏焦路径的第一绝对相位；

根据确定的该类型，确定馈源相位中心偏焦时，该馈源发射的电磁波所对应偏焦路径的第二绝对相位；

将所述第一绝对相位与所述第二绝对相位的差值，确定为紧缩场馈源偏焦量化值。

优选地，所述根据确定的该类型，确定馈源相位中心偏焦时，该馈源发射的电磁波所对应偏焦路径的第二绝对相位，包括：

确定所述偏焦路径上该馈源偏焦时相位中心的位置信息、观察位置信息；

根据确定的该类型以及该馈源偏焦时相位中心的位置信息、观察位置信息，确定所述偏焦路径上至少一个反射点的位置信息；

根据确定的各位置信息，计算所述偏焦路径的长度；

根据所述偏焦路径的长度和该馈源发射的电磁波的波长，计算得到所述第二绝对相位。

优选地，所述确定反射面的类型，包括：确定反射面的类型为单反射面；所述偏焦路径上包括一个反射点；

确定所述偏焦路径上包括的该反射点的位置信息，包括：

将该馈源偏焦时相位中心关于经过该反射点的法线所对应的对称点作为中间参量，利用所述单反射面的理论公式、该馈源偏焦时相位中心的位置信息、观察位置信息以及该中间参量，得到计算该反射点的位置信息的计算公式，利用该计算公式计算该反射点的位置信息。