[发明专利]一种相对电源的高压稳压电路

说明书

本发明提供了一种相对电源的高压稳压电路,所电路中运算放大器的正向输入端为相对GND_Floating的参考电压VREF，负向输入端为输出电压VOUT按比例采样电压，运算放大器的输出端连接调整管HVMOS的栅极。当负载突然增加，输出电压VOUT减小，采样电压减小，运算输出电压变大，HVMOS下拉能力增强，GND_Folating电压减小，从而是VOUT增加，同时随着VDD供电电压升高，GND_Floating电压升高，HVMOS漏极承担高压，可以根据耐压需求选择相应的HVMOS管。该电路仅需要一个HVNMOS和两个HVPMOS即可实现在VDD很宽范围内产生一个电源电压，本发明相对电源的电压产生电路与传统对地的电压不同，可以应用在地线不稳定的情况，并且仅使用极少高压器件即可实现。

技术领域

本发明涉及电源电路技术领域，具体涉及一种相对电源的高压稳压电路。

背景技术

电源电压产生电路广泛应用于集成电路设计应用中，根据负载需要设计不同的内部电源电压。传统的技术为设计一种低压差线性稳压电路（LDO），该技术产生电压为相对低的内部电源电压。通过采样输出电压与基准电压进行比较，运算放大器调节输出驱动管的栅极电压，改变驱动管的电流能力以响应负载的变化，从而使输出电压恒定。该技术思路广泛应用于电路中，原理如图1所示。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出一种相对电源的高压稳压电路，可以高压工作，本发明产生电压相对电源，一端连接电源，另一端对地浮动。随着电源电压升高，产生电源的另一端也跟随电源电压升高，从而保持对电压稳定,所述电路包括MOS管P1，MOS管P1的漏端连接偏置电流，MOS管P1的栅端连接MOS管P2的栅端，MOS管P2、MOS管P3与MOS管P4的栅端相连接，MOS管P5、MOS管P6与MOS管P7的栅端相连接。

作为本发明的一种改进，所述MOS管P5的漏端连接HVPMOS管P8的源端,所述MOS管P2的漏端连接HVPMOS管P9的源端，所述HVPMOS管P8的栅端接HVPMOS管P9的栅端，P8、P9为高压管，可以阻挡电源的高压施加到下面的低压管N5、N6,MOS管P3的漏端连接电阻R1和电阻R2，所述电阻R2接MOS管N1的源端，MOS管N1的漏端连接MOS管P6的漏端，MOS管P7的漏端连接MOS管N4的漏端，MOS管N4的栅端连接MOS管N3的栅端，MOS管N1的栅端连接MOS管N2的栅端，MOS管N2的漏端连接MOS管P10的漏端，MOS管P10的源端接电阻R1和电阻R2，MOS管P10的源端连接MOS管P11的源端，MOS管P11的漏端连接MOS管N3的漏端，所述MOS管P4的漏端连接MOS管P10和MOS管P11的源端，所述MOS管N2和MOS管N3的源端相连且连接HVNMOS管N7的漏端。

作为本发明的一种改进，所述HVPMOS管P8的漏端连接MOS管N5的漏端，所述HVPMOS管P9的的漏端连接MOS管N6的漏端，所述MOS管N5的栅端连接MOS管N6的栅端，所述HVNMOS管N7的栅端连接MOS管N6的漏端，所述MOS管N5、MOS管N6及HVNMOS管N7的源端相连。

作为本发明的一种改进，所述MOS管P11的源端连接电阻R3和电阻R4，电阻R4接MOS管N4的源端。

作为本发明的一种改进，所述MOS管P1、MOS管N2、MOS管N3及MOS管N5的栅端与漏端相连。

作为本发明的一种改进，运算放大器的正向输入端为相对GND_Floating的参考电压VREF，负向输入端为输出电压VOUT按比例采样电压，运算放大器的输出端连接调整管HVMOS的栅极。当负载突然增加，输出电压VOUT减小，采样电压减小，运算输出电压变大，HVMOS下拉能力增强，GND_Folating电压减小，从而是VOUT增加。因此产生一个相对电源的恒定电压。同时随着VDD供电电压升高，GND_Floating电压升高，HVMOS漏极承担高压，可以根据耐压需求选择相应的HVMOS管。该电路仅需要一个HVNMOS和两个HVPMOS即可实现在VDD很宽范围内产生一个电源电压。