[发明专利]一种相对电源的高压稳压电路

权利要求书

1.一种相对电源的高压稳压电路，其特征在于,所述电路包括MOS管P1，MOS管P1的漏端连接偏置电流，MOS管P1的栅端连接MOS管P2的栅端，MOS管P2、MOS管P3与MOS管P4的栅端相连接，MOS管P5、MOS管P6与MOS管P7的栅端相连接，所述MOS管P5的漏端连接HVPMOS管P8的源端,所述MOS管P2的漏端连接HVPMOS管P9的源端，所述HVPMOS管P8的栅端接HVPMOS管P9的栅端，MOS管P3的漏端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管N1的源端，电阻R1和电阻R2的连接点接MOS管P10的栅端，所述电阻R2接MOS管N1的源端，MOS管N1的漏端连接MOS管P6的漏端，MOS管P7的漏端连接MOS管N4的漏端，MOS管N4的栅端连接MOS管N3的栅端，MOS管N1的源端与MOS管N2的源端相连，MOS管N3的源端与MOS管N4的源端相连，MOS管N2的源端连接HVNMOS管N7的漏端，MOS管N3的源端连接HVNMOS管N7的漏端，MOS管N1的栅端连接MOS管N2的栅端，MOS管N2的漏端连接MOS管P10的漏端，MOS管P10的栅端接电阻R1和电阻R2，MOS管P10的源端连接MOS管P11的源端，MOS管P11的漏端连接MOS管N3的漏端，所述MOS管P4的漏端连接MOS管P10和MOS管P11的源端，所述MOS管N2和MOS管N3的源端相连且连接HVNMOS管N7的漏端，所述HVPMOS管P8的漏端连接MOS管N5的漏端，所述HVPMOS管P9的漏端连接MOS管N6的漏端，所述MOS管N5的栅端连接MOS管N6的栅端，所述HVNMOS管N7的栅端连接MOS管N6的漏端，MOS管N5 、MOS管N6 、HVNMOS管N7的源端相连后接地，电阻R3的一端连接VOUT+，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接VOUT-和MOS管N4的源端，MOS管P11的栅端连接电阻R3和电阻R4的连接点，电阻R4接MOS管N4的源端，MOS管P1的栅端与漏端连接，MOS管N2的栅端与漏端连接，MOS管N3的栅端与漏端连接，MOS管N5的栅端与漏端连接，MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管P6、MOS管P7的源端连接电源。

2.根据权利要求1所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,基准电流流经电阻R1和电阻R2产生基准电压作为运算放大器的正输入端，输出电压经过电阻R3和电阻R4进行采样反馈回运算放大器的负向输入端。

3.根据权利要求2所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,当负载突然增加，输出电压VOUT减小，采样电压减小，运算放大器输出电压变大，HVNMOS管N7下拉能力增强，GND_Folating电压减小，从而使VOUT增加。

4.根据权利要求3所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于, 随着VDD供电电压升高，GND_Floating电压升高，HVNMOS管N7漏极承担高压。