[发明专利]功率变换电路在审

专利信息
申请号: 202111105872.0 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN113782320A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 杨海军;王禹玺;朱恺俊;卢增艺 申请(专利权)人: 台达电子企业管理(上海)有限公司
主分类号: H01F27/30 分类号: H01F27/30;H01F27/34;H01F27/38;H02M7/00;H02M7/48
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双
地址: 201209 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功率 变换 电路
【权利要求书】:

1.一种功率变换电路,其特征在于,包括三相电感以及一开关变换单元,所述三相电感中的每一相电感的第一端电性耦接至所述开关变换单元中一相桥臂的中点,第二端电性耦接至一三相交流电源的一相上,且所述三相电感集成于一磁性组件,所述磁性组件包括:

相对平行设置的两磁轭;

依次间隔设置的一第一绕线柱、一第二绕线柱与一第三绕线柱,均位于所述两磁轭之间,所述第二绕线柱位于所述第一绕线柱与所述第三绕线柱之间;以及

三个绕组,一一对应绕设于所述第一绕线柱、所述第二绕线柱与所述第三绕线柱上,分别用于形成所述三相电感中的一相电感,且流过所述三个绕组中每一绕组的工频电流相位相差120°;

其中,当向所述三个绕组中的每一绕组施加一参考电流时,所述参考电流从所述三个绕组的每一绕组的第一端流入并从第二端流出,所述参考电流在所述第一绕线柱与所述第三绕线柱上激励的磁通具有一第一参考方向,在所述第二绕线柱上激励的磁通具有一第二参考方向,所述第二参考方向与所述第一参考方向相反。

2.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述磁性组件还包括:

一附加柱,位于所述两磁轭之间。

3.根据权利要求2所述的功率变换电路,其特征在于,所述附加柱的材质为合金粉芯。

4.根据权利要求2所述的功率变换电路,其特征在于,所述附加柱的材质为含有气隙的高磁导率材料。

5.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述三个绕组以相同的方式绕设在所述第一绕线柱、所述第二绕线柱与所述第三绕线柱上。

6.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述磁性组件还包括:

一第一附加柱,设置于所述第一绕线柱与所述第二绕线柱之间;以及

一第二附加柱,设置于所述第二绕线柱与所述第三绕线柱之间。

7.根据权利要求6所述的功率变换电路,其特征在于,所述第一附加柱和所述第二附加柱的材质为合金粉芯。

8.根据权利要求6所述的功率变换电路,其特征在于,所述第一附加柱和所述第二附加柱的材质为含有气隙的高磁导率材料。

9.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述磁性组件还包括:

一第一附加柱,设置于所述第一绕线柱的外侧;以及

一第二附加柱,设置于所述第三绕线柱的外侧。

10.根据权利要求9所述的功率变换电路,其特征在于,所述第一附加柱和所述第二附加柱的材质为合金粉芯。

11.根据权利要求9所述的功率变换电路,其特征在于,所述第一附加柱和所述第二附加柱的材质为含有气隙的高磁导率材料。

12.根据权利要求3、7或10任一项所述的功率变换电路,其特征在于,所述合金粉芯的相对磁导率小于或等于200。

13.根据权利要求4、8或11任一项所述的功率变换电路,其特征在于,所述高磁导率材料的相对磁导率大于或等于500。

14.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述第一绕线柱、所述第二绕线柱以及所述第三绕线柱的材质为合金粉芯或含有气隙的高磁导率材料。

15.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述两个磁轭、所述第一绕线柱、所述第二绕线柱以及所述第三绕线柱的材质均为合金粉芯。

16.根据权利要求15所述的功率变换电路,其特征在于,所述合金粉芯的相对磁导率小于或等于200。

17.根据权利要求1所述的功率变换电路,其特征在于,所述功率变换电路为逆变电路或功率因数校正电路。

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