[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供减低与温度变化相对应的壳体内的导线的摆动的半导体装置。半导体装置包括壳体(70)，其包括包围绝缘电路基板(20)的框部(71)、与外部连接端子(50)接合并至少覆盖导线(40)的一部分的上方的梁部(72a)。此外，半导体装置包括密封部件(80)，其填充于壳体内，密封缘电路基板(20)的正面、半导体芯片(31、32)、导线(40)以及梁部(72a)的背面，在俯视下从脚部(50a)和梁部(72a)的间隙露出。由此，被发热的半导体芯片(31、32)加热的密封部件(80)向梁部(72a)的两侧部方向膨胀，进而向上方膨胀。因此，抑制了在俯视下导线(40)向梁部(72a)的两侧的向横向的摆动。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

半导体装置包括功率设备。功率设备是例如IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor：金属氧化物半导体场效应管)。半导体装置具备配置有半导体芯片的绝缘电路基板，该半导体芯片包括上述功率设备。绝缘电路基板包括陶瓷基板、形成在该陶瓷基板的正面的多个电路图案、以及形成在该陶瓷基板的背面的金属板。半导体芯片接合在预定的电路图案上。另外，利用导线适当地分别连接多个半导体芯片的电极之间、或者、半导体芯片的电极和电路图案。此外，半导体装置在壳体收纳有配置了如此的半导体芯片的绝缘电路基板。壳体的盖部一体成型有输入输出用的引线框架。引线框架的下端部适当地接合在绝缘电路基板的电路图案。通过硅胶密封在壳体内的绝缘电路基板上(例如，参照专利文献1)。

若这样的半导体装置工作，则半导体芯片发热而使壳体内的温度上升。此时，若被加热的硅胶膨胀，则导线从硅胶受到膨胀压力而摆动。于是，有摆动的导线彼此接触、或者导线与引线框架接触而导致产生短路的情况。因此，预先预算出相对于上升温度的硅胶的膨胀量，根据基于该膨胀量的导线的摆动距离，以即使导线摆动也不发生接触的方式配置电路图案、半导体芯片、以及引线框架。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平4-242965号公报

发明内容

技术问题

半导体装置的温度的上升根据半导体装置的使用状况、使用环境而变动。因此，硅胶的膨胀情况也依赖于半导体装置的使用状况、使用环境而使导线的摆动距离也变得不同。因此，即使以尽管导线摆动也不发生接触的方式配置电路图案、半导体芯片、以及引线框架，也有可能因半导体装置的使用状况、使用环境而使导线与其他导线和/或引线框架接触而导致产生短路。

本发明是鉴于这点而做出的，其目的在于，提供一种减小与温度变化相对应的壳体内的导线的摆动的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具有：绝缘电路基板，其包括绝缘板、以及形成在所述绝缘板的正面的电路图案；半导体芯片，其配置在所述电路图案的正面；导线，其与所述半导体芯片的正面连接而被布线；外部连接端子，其包括一端与所述电路图案的正面接合并相对于所述电路图案的正面而沿垂直方向延伸并且一部分与所述导线的侧部对置的脚部、以及与所述脚部的另一端电连接的端子部；壳体，其包括包围所述绝缘电路基板的框部、以及与所述外部连接端子接合并且至少覆盖所述导线的一部分的上方的梁部；以及密封部件，其填充于所述壳体内，密封所述绝缘电路基板的正面、所述半导体芯片、所述导线以及所述梁部的背面，并且在俯视下从所述脚部和所述梁部的间隙露出。

技术效果

根据公开的技术，能够减小与温度变化相对应的壳体内的导线的摆动，并且能够抑制半导体装置的可靠性的下降。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的外观图(其一)。