[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111105249.5 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN114496936A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 丸山真理子 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/053;H01L23/31;H01L25/18;H01L23/498
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周爽;周春燕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

绝缘电路基板,其包括绝缘板、以及形成在所述绝缘板的正面的电路图案;

半导体芯片,其配置在所述电路图案的正面;

导线,其与所述半导体芯片的正面连接而被布线;

外部连接端子,其包括一端与所述电路图案的正面接合并相对于所述电路图案的正面而沿垂直方向延伸且一部分与所述导线的侧部对置的脚部、以及与所述脚部的另一端电连接的端子部;

壳体,其包括包围所述绝缘电路基板的框部、以及与所述外部连接端子接合并且至少覆盖所述导线的一部分的上方的梁部;以及

密封部件,其填充在所述壳体内,密封所述绝缘电路基板的正面、所述半导体芯片、所述导线以及所述梁部的背面,并且在俯视下从所述脚部和所述梁部的间隙露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

在俯视下,所述导线的与所述脚部对置的部分被所述梁部覆盖。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述外部连接端子的所述端子部与所述壳体的所述梁部一体成型。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述导线包括一端部与所述半导体芯片的正面连接且另一端部与所述绝缘电路基板的被接合部连接并在所述一端部与所述另一端部之间连续的第一部分、第二部分、以及第三部分,

所述第一部分以预定的角度从所述一端部上升而延伸,

所述第二部分从上升而延伸的所述第一部分与所述电路图案大致平行地延伸,

所述第三部分以预定的角度从所述第二部分下降而在所述另一端部与所述被接合部接合。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

所述脚部被设置为,在俯视下,相对于连结所述导线的所述一端部与所述另一端部的布线方向而沿垂直方向与所述导线的所述第二部分的侧部以预定距离分离而配置,

所述预定距离是从所述半导体芯片的正面起到所述导线的所述第二部分为止的高度的10%以上且小于100%。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述脚部在靠所述导线侧的侧部形成有凹部。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹部形成在与所述第二部分相同的高度的位置。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹部的凹陷的深度是所述脚部的宽度的10%以上且50%以下。

9.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述外部连接端子还具备接头部,所述接头部连接所述脚部的上端部与所述端子部的下端部,并且与所述电路图案呈水平。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,

所述接头部的下表面位于比所述密封部件的密封面更靠下位的位置。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置,其特征在于,

在俯视下,所述密封部件从所述梁部与所述接头部的间隙露出。

12.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,

从所述电路图案的正面起到所述导线的所述第二部分为止的高度是相对于从所述半导体芯片的正面起到所述外部连接端子的所述接头部为止的高度的0.6倍以上且0.8倍以下。

13.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,

所述梁部的所述背面位于比所述外部连接端子的所述接头部的背面更靠下位的位置。

14.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述密封部件以高分子凝胶为主要成分。

15.一种半导体装置,其特征在于,具有:

绝缘电路基板,其包括绝缘板、以及形成在所述绝缘板的正面的电路图案;

导线,其与所述绝缘电路基板的第一被接合部和第二被接合部连接而被布线;

外部连接端子,其包括与所述电路图案的正面接合并与所述导线的侧部对置并且相对于所述电路图案的正面而沿垂直方向延伸的脚部、以及与所述脚部电连接的端子部;

壳体,其包括包围所述绝缘电路基板的框部、以及从所述框部的内壁面延伸到所述脚部的侧部附近而至少覆盖所述导线的一部分的上方的梁部;以及

密封部件,其填充在所述壳体内,覆盖所述绝缘电路基板的正面、所述第一被接合部、所述第二被接合部以及所述导线,在侧视下密封面位于比所述梁部的与所述电路图案对置的对置面更靠上位的位置,并且在俯视下从所述脚部和所述梁部的间隙露出。

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